De ontwikkeling van 3C-SiC, een belangrijk polytype siliciumcarbide, weerspiegelt de voortdurende vooruitgang in de materiaalkunde van halfgeleiders. In de jaren tachtig hebben Nishino et al. bereikte eerst een 4 μm dikke 3C-SiC-film op een siliciumsubstraat met behulp van chemische dampdepositie (C......
Lees verderDikke, zeer zuivere lagen siliciumcarbide (SiC), doorgaans groter dan 1 mm, zijn cruciale componenten in verschillende hoogwaardige toepassingen, waaronder de fabricage van halfgeleiders en ruimtevaarttechnologieën. Dit artikel gaat dieper in op het Chemical Vapour Deposition (CVD)-proces voor het p......
Lees verderEénkristallijn silicium en polykristallijn silicium hebben elk hun eigen unieke voordelen en toepasbare scenario's. Eénkristalsilicium is geschikt voor hoogwaardige elektronische producten en micro-elektronica vanwege de uitstekende elektrische en mechanische eigenschappen. Polykristallijn silicium ......
Lees verderBij het voorbereidingsproces van wafels zijn er twee kernschakels: de ene is de voorbereiding van het substraat en de andere is de implementatie van het epitaxiale proces. Het substraat, een wafel die zorgvuldig is gemaakt van halfgeleider-monokristalmateriaal, kan direct in het wafelproductieproces......
Lees verderChemical Vapour Deposition (CVD) is een veelzijdige dunnefilmdepositietechniek die op grote schaal wordt gebruikt in de halfgeleiderindustrie voor het vervaardigen van hoogwaardige, conforme dunne films op verschillende substraten. Dit proces omvat chemische reacties van gasvormige precursoren op ee......
Lees verder