SiC ALD-receptor

Semicorex SiC ALD Susceptor biedt talrijke voordelen in ALD-processen, waaronder stabiliteit bij hoge temperaturen, verbeterde filmuniformiteit en -kwaliteit, verbeterde procesefficiëntie en langere levensduur van de susceptor. Deze voordelen maken de SiC ALD Susceptor tot een waardevol hulpmiddel voor het realiseren van hoogwaardige dunne films in diverse veeleisende toepassingen.**

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Voordelen van SemicorexSiC ALD-receptor:

Stabiliteit bij hoge temperaturen:De SiC ALD Susceptor behoudt zijn structurele integriteit bij hoge temperaturen (tot 1600°C), waardoor ALD-processen bij hoge temperaturen mogelijk zijn die resulteren in dichtere films met verbeterde elektrische eigenschappen.

Chemische inertie:De SiC ALD-susceptor vertoont een uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën en precursoren die bij ALD worden gebruikt, waardoor besmettingsrisico's worden geminimaliseerd en een consistente filmkwaliteit wordt gegarandeerd.

Uniforme temperatuurverdeling:De hoge thermische geleidbaarheid van de SiC ALD Susceptor bevordert een uniforme temperatuurverdeling over het susceptoroppervlak, wat leidt tot uniforme filmafzetting en verbeterde apparaatprestaties.

Lage uitgassing:SiC heeft lage ontgassingseigenschappen, wat betekent dat het bij hoge temperaturen minimale onzuiverheden vrijgeeft. Dit is van cruciaal belang voor het handhaven van een schone verwerkingsomgeving en het voorkomen van besmetting van de afgezette film.

Plasmaweerstand:SiC vertoont een goede weerstand tegen plasma-etsen, waardoor het compatibel is met plasma-enhanced ALD (PEALD)-processen.

Lange levensduur:De duurzaamheid en slijtvastheid van de SiC ALD-susceptor vertalen zich in een langere levensduur van de susceptor, waardoor de noodzaak voor frequente vervangingen afneemt en de totale bedrijfskosten dalen.

Vergelijking van ALD en CVD:

Atomic Layer Deposition (ALD) en Chemical Vapour Deposition (CVD) zijn beide veelgebruikte dunnefilmdepositietechnieken met verschillende kenmerken. Het begrijpen van hun verschillen is cruciaal voor het selecteren van de meest geschikte methode voor een specifieke toepassing.

ALD versus CVD

Belangrijkste voordelen van ALD:

Uitzonderlijke diktecontrole en uniformiteit:Ideaal voor toepassingen die precisie op atomair niveau en conforme coatings op complexe geometrieën vereisen.

Verwerking bij lage temperaturen:Maakt afzetting op temperatuurgevoelige substraten en een bredere materiaalkeuze mogelijk.

Hoge filmkwaliteit:Resultaten in dichte, gaatjesvrije films met weinig onzuiverheden.

Belangrijkste voordelen van CVD:

Hoger depositiepercentage:Geschikt voor toepassingen die snellere depositiesnelheden en dikkere films vereisen.

Lagere kosten:Kosteneffectiever voor depositie op grote oppervlakken en minder veeleisende toepassingen.

Veelzijdigheid:Kan een breed scala aan materialen deponeren, waaronder metalen, halfgeleiders en isolatoren.