SiC-gecoate epitaxieschijf

Er zijn uitgebreide eigenschappen van Semicorex SiC Coated Epitaxy Disc die het tot een onmisbaar onderdeel maken bij de productie van halfgeleiders, waarbij de precisie, duurzaamheid en robuustheid van apparatuur van cruciaal belang zijn voor het succes van hightech halfgeleiderapparaten. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige SiC-gecoate epitaxieschijven die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.**

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Semicorex SiC Coated Epitaxy Disc biedt een reeks ongeëvenaarde voordelen binnen de halfgeleiderindustrie, die als volgt verder kunnen worden uitgewerkt:

Lage thermische uitzettingscoëfficiënt: De met SiC gecoate epitaxieschijf beschikt over een opmerkelijk lage thermische uitzettingscoëfficiënt, wat van cruciaal belang is bij de verwerking van halfgeleiders waarbij maatvastheid essentieel is. Dit kenmerk zorgt ervoor dat de met SiC gecoate epitaxieschijf minimale uitzetting of samentrekking ondergaat bij temperatuurschommelingen, waardoor de integriteit van de halfgeleiderstructuur behouden blijft tijdens processen bij hoge temperaturen.

Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Deze met SiC gecoate epitaxieschijf is ontworpen met een opmerkelijke oxidatieweerstand en behoudt zijn structurele integriteit bij hoge temperaturen, waardoor het een ideaal onderdeel is voor toepassingen in halfgeleiderprocessen bij hoge temperaturen waarbij thermische stabiliteit cruciaal is.

Dicht en fijnporeus oppervlak: Het oppervlak van de SiC-gecoate epitaxieschijf wordt gekenmerkt door zijn dichtheid en fijne porositeit, die een optimale oppervlaktetextuur biedt voor het hechten van verschillende coatings en zorgt voor een effectieve materiaalverwijdering tijdens de verwerking van halfgeleiderwafels zonder het delicate oppervlak te beschadigen.

Hoge hardheid: De coating verleent een hoge hardheid aan de grafietschijf, die bestand is tegen krassen en slijtage, waardoor de levensduur van de met SiC gecoate epitaxyschijf wordt verlengd en de frequentie van vervanging in halfgeleiderproductieomgevingen wordt verminderd.

Weerstand tegen zuren, basen, zouten en organische reagentia: De CVD SiC-coating van de met SiC gecoate Epitaxy Disc biedt uitstekende weerstand tegen een breed scala aan corrosieve stoffen, waaronder zuren, basen, zouten en organische reagentia, waardoor deze geschikt is voor gebruik in omgevingen waar blootstelling aan chemicaliën is een punt van zorg, waardoor de betrouwbaarheid en levensduur van de apparatuur wordt vergroot.

Bèta-SiC-oppervlaktelaag: De SIC-oppervlaktelaag (siliciumcarbide) van de SiC-gecoate epitaxyschijf bestaat uit bèta-SiC, dat een face-centered cubische (FCC) kristalstructuur heeft. Deze kristalstructuur draagt bij aan de uitzonderlijke mechanische en thermische eigenschappen van de coating en biedt superieure sterkte en thermische geleidbaarheid aan de schijf, wat essentieel is voor halfgeleiderverwerkingsapparatuur.