Sic gecoate plaat

Semicorex SiC-gecoate plaat is een ontworpen high-performance component die speciaal is ontworpen voor epitaxiale (EPI) groeikoestand, waarvoor stabiele, hoogwaardige substraten nodig zijn om films van hoge kwaliteit te maken. Het is een hoogwaardig grafietkern, uniform en dicht gecoat met siliciumcarbide (SIC), waardoor de ongeëvenaarde thermische en mechanische weerstand van grafiet van hoge sterkte wordt gecombineerd met de chemische stabiliteit en de duurzaamheid van het oppervlak en de duurzaamheid van SiC. De Semicorex SiC -gecoate plaat is gebouwd om de extreme ontberingen van de epitaxiale processen voor samengestelde halfgeleiders, waaronder SIC en GAN, te ondersteunen.

De grafietkern van de SIC -gecoate plaat bezit een uitstekende thermische geleidbaarheid, lage dichtheid en superieure thermische schokweerstand. De matig lage thermische massa van de grafietkern gebalanceerd met uitstekende thermische geleidbaarheid zorgt voor een snelle verdeling van warmte gelijkmatig in een proces waarbij temperatuurcycli bij hoge snelheden plaatsvinden. De buitenste laag van SiC afgezet door chemische dampafzetting (CVD), biedt een beschermende barrière die de hardheid, corrosieweerstand en chemische inertie verhoogt, waardoor onmiddellijke waarde biedt bij het beperken of voorkomen van deeltjesgeneratie. Dit solide elementaire oppervlak gecombineerd met de fysieke kenmerken van de grafietbasis, verzekert een zeer hoge zuiverheidsprocesomgeving met zeer weinig of geen risico op het genereren van defecten op de epitaxiale lagen.

Dimensionale precisie en oppervlakte -vlakheid zijn ook essentiële kenmerken van de SIC -gecoate plaat. Elke plaat wordt bewerkt en gecoat met strakke toleranties om uniformiteit en herhaalbaarheid in procesprestaties te garanderen. Het gladde en inerte oppervlak vermindert nucleatieplaatsen voor ongewenste filmafzetting en verbetert de waferuniformiteit over het plaatoppervlak.

In epitaxiale reactoren wordt de SiC -gecoate plaat meestal geïmplementeerd als een susceptor, voering of een thermisch schild om structuur te geven en te presteren als een warmteoverdrachtsmedium voor de verwerkte wafer. Stabiele prestaties hebben direct invloed op de kwaliteit, opbrengst en productiviteit van de kristal.