SiC Epi-Wafer-susceptors

Je kunt geen Wide Bandgap (WBG)-halfgeleiders produceren – essentieel voor de revolutie van elektrische voertuigen (EV’s) en 5G – zonder de ideale materiaaleigenschappen tot stand te brengen door middel van epitaxiale groei. Semicorex SiC Epi-Wafer Susceptors zijn ontworpen voor gebruik als basis (thermisch/structureel) voor SiC- en GaN-epitaxie. De combinatie vanisostatisch grafiet(uitstekende thermische geleidbaarheid) met Chemical Vapour Deposited (CVD) Siliciumcarbide (extreme chemische bestendigheid) zorgt voor een proceskit die de grootst mogelijke opbrengst en herhaalbaarheid mogelijk maakt.

Engineering van de "perfecte" thermische omgeving

Om adequate epitaxiale groeitemperaturen (meer dan 1.500°C) te bereiken in een atmosfeer die verzadigd is met reactieve en corrosieve precursorgassen, zou een conventionele grafietdrager bij blootstelling worden afgebroken en daarom de wafel verontreinigen. De door Semicorex ontwikkelde SiC Epi-Wafer Susceptors hebben echter via geavanceerde materiaalintegratie een oplossing bereikt om het epitaxieproces een stabiele basis te geven voor duizenden procesuren.

1. Superieure thermische uniformiteit

De primaire rol van een susceptor is om te fungeren als warmteverspreider. Onze zeer zuivere isostatische grafietkern zorgt voor een uniform thermisch veld over het gehele wafeloppervlak. Dit minimaliseert "hotspots" die variaties in de dikte van de epilaag en de dopingconcentratie veroorzaken. In de wereld van de vermogenselektronica, waar RDS(on)-consistentie voorop staat, leveren onze susceptoren de thermische precisie die nodig is voor submicron-uniformiteit.

2. Hermetische CVD SiC-inkapseling

We gebruiken een geavanceerd CVD-proces om een ​​dichte, ultrazuivere siliciumcarbidecoating aan te brengen. Deze laag is niet alleen een bedekking; het is een hermetische afdichting.

Deeltjesonderdrukking: De coating voorkomt dat het grafietsubstraat onzuiverheden zoals boor- of metaalsporen in de reactiekamer "afstoft" of uitgassen.

Chemische inertie: onzeSiC-coatingis ongevoelig voor etsen met H2, HCl en ammoniak (NH3), wat gebruikelijk is in MOCVD- en SiC-epitaxyreactoren.

3. Precisie CTE-matching

Een van de meest voorkomende faalpunten bij gecoate hardware is delaminatie als gevolg van thermische cycli. We selecteren specifiek grafietsoorten met een thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) die perfect is gesynchroniseerd met deSiC-coating. Deze "uitbreidingsharmonie" zorgt ervoor dat de SiC Epi-Wafer Susceptors snelle op- en neerwaartse cycli kunnen doorstaan ​​zonder te barsten of los te laten, waardoor de levensduur van de component tot 300% wordt verlengd in vergelijking met industriestandaard alternatieven.

Geoptimaliseerd voor wereldwijde reactorplatforms

Ons engineeringteam heeft uitgebreide ervaring met het ontwerpen van susceptors voor zowel horizontale als verticale reactorconfiguraties. Wij bieden drop-in vervangingen en op maat gemaakte oplossingen voor de toonaangevende OEM-systemen in de branche (waaronder AIXTRON-, Veeco- en Tokyo Electron-platforms).

Of u nu een planetaire reactor of een instrument met één wafer gebruikt, onze susceptors zijn geoptimaliseerd voor:

Gasstroomdynamiek:Nauwkeurig bewerkte zakken om een ​​laminaire stroming over de wafer te garanderen.

Wafelrotatie:Geoptimaliseerde gewicht-wrijvingsverhoudingen voor stabiele, snelle rotatie tijdens de groei.

Geautomatiseerde afhandeling:Versterkte randen om de mechanische belasting van robotische waferoverdracht te weerstaan.