De Semicorex SiC Wafer Tray is een essentiële troef in het Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) proces, zorgvuldig ontworpen om halfgeleiderwafels te ondersteunen en te verwarmen tijdens de essentiële stap van epitaxiale laagafzetting. Deze lade is een integraal onderdeel van de productie van halfgeleiderapparaten, waarbij de precisie van de laaggroei van het allergrootste belang is. Wij bij Semicorex zijn toegewijd aan de productie en levering van hoogwaardige SiC Wafer Trays die kwaliteit combineren met kostenefficiëntie.
De Semicorex SiC Wafer Tray, die fungeert als een sleutelelement in MOCVD-apparatuur, houdt monokristallijne substraten vast en beheert deze thermisch. De uitzonderlijke prestatiekenmerken, waaronder superieure thermische stabiliteit en uniformiteit, evenals corrosieremming enzovoort, zijn cruciaal voor de hoogwaardige groei van epitaxiale materialen. Deze eigenschappen zorgen voor consistente uniformiteit en zuiverheid in dunne filmlagen.
Verbeterd met een SiC-coating verbetert de SiC-wafertray de thermische geleidbaarheid aanzienlijk, waardoor een snelle en gelijkmatige warmteverdeling mogelijk wordt gemaakt die essentieel is voor uniforme epitaxiale groei. Het vermogen van de SiC-wafertray om warmte efficiënt te absorberen en uit te stralen, zorgt voor een stabiele en consistente temperatuur, essentieel voor de nauwkeurige afzetting van dunne films. Deze uniforme temperatuurverdeling is van cruciaal belang voor het produceren van epitaxiale lagen van hoge kwaliteit, die essentieel zijn voor de prestaties van geavanceerde halfgeleiderapparaten.
De betrouwbare prestaties en levensduur van de SiC Wafer Tray verminderen de frequentie van vervangingen, waardoor uitvaltijd en onderhoudskosten worden geminimaliseerd. De robuuste constructie en superieure operationele mogelijkheden verbeteren de procesefficiëntie, waardoor de productiviteit en kosteneffectiviteit bij de productie van halfgeleiders toenemen.
Bovendien vertoont de Semicorex SiC Wafer Tray een uitstekende weerstand tegen oxidatie en corrosie bij hoge temperaturen, wat de duurzaamheid en betrouwbaarheid verder garandeert. Dankzij het hoge thermische uithoudingsvermogen, gekenmerkt door een aanzienlijk smeltpunt, is het bestand tegen de strenge thermische omstandigheden die inherent zijn aan de fabricageprocessen van halfgeleiders.