SOI Wafer Silicium op isolator

SOI Wafer Silicon On Insulator, ook bekend als Silicon-On-Insulator wafer, is een type halfgeleiderwafel dat veel wordt gebruikt bij de productie van geavanceerde geïntegreerde schakelingen (IC's). Het biedt verschillende voordelen ten opzichte van traditionele bulk-siliciumwafels, waardoor het een populaire keuze is in de halfgeleiderindustrie.

De structuur van een SOI Wafer Silicon On Insulator bestaat uit drie hoofdlagen: een dunne laag silicium (apparaatlaag), een laag isolatiemateriaal (doos) en een bulk-siliciumbasislaag (handvat).

De isolatielaag in een SOI Wafer Silicon On Insulator biedt verschillende voordelen. Ten eerste vermindert het de parasitaire capaciteit tussen transistors, wat resulteert in verbeterde circuitprestaties en een hogere werkingssnelheid. Deze verminderde capaciteit helpt ook bij het verlagen van het stroomverbruik, waardoor SOI-apparaten geschikt zijn voor energiezuinige toepassingen.

Bovendien zorgt de isolatielaag voor elektrische isolatie tussen de actieve apparaten, waardoor de overspraak wordt verminderd en de signaalintegriteit in hoogfrequente circuits wordt verbeterd. Dit is met name voordelig bij radiofrequentie (RF) en analoge toepassingen waarbij de signaalkwaliteit van cruciaal belang is.

Een ander voordeel van SOI Wafer Silicon On Insulator is hun stralingshardheid. De isolatielaag fungeert als een natuurlijk schild tegen door straling veroorzaakte effecten, waardoor SOI-apparaten beter bestand zijn tegen stralingsschade. Deze eigenschap maakt SOI-technologie geschikt voor lucht- en ruimtevaart, kernenergie en andere omgevingen met hoge straling.