Ontvangerplaat

Semicorex Susceptor Plate is een cruciaal onderdeel in het epitaxiale groeiproces, specifiek ontworpen om halfgeleiderwafels te dragen tijdens de afzetting van dunne films of lagen. In de context van Metal-Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) zijn deze platen met name vervaardigd uit materialen die bestand zijn tegen hoge temperaturen en een stabiel oppervlak bieden voor de groei van epitaxiale lagen.

De susceptorplaat die in dit proces wordt gebruikt, is gemaakt van grafiet dat via een MOCVD-proces zelf is gecoat met siliciumcarbide (SiC). Siliciumcarbide biedt uitzonderlijke thermische stabiliteit, mechanische sterkte en weerstand tegen chemische reacties, waardoor het een ideale keuze is voor de veeleisende omstandigheden van epitaxiale groei.

Tijdens MOCVD speelt de susceptorplaat een cruciale rol door effectief warmte over te dragen naar de halfgeleiderwafels. De plaat absorbeert energie uit de omgeving en straalt deze uit naar de wafers, waardoor de gecontroleerde afzetting van dunne films op de waferoppervlakken wordt vergemakkelijkt. Deze nauwkeurige temperatuurregeling is essentieel voor het bereiken van uniforme en hoogwaardige epitaxiale lagen, die cruciaal zijn bij de productie van geavanceerde halfgeleiderapparaten.

De susceptorplaat in MOCVD-processen, samengesteld uit SiC-gecoat grafiet, dient als een betrouwbaar platform voor het ondersteunen van halfgeleiderwafels, zorgt voor optimale warmteoverdracht en draagt ​​bij aan de succesvolle epitaxiale groei van dunne films met gewenste kenmerken voor halfgeleidertoepassingen.