Etsring

Semicorex Etsring is een cruciaal onderdeel van apparatuur voor de productie van halfgeleiders, met name in plasma-etssystemen. Dit onderdeel is gemaakt van Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide (CVD SiC) en biedt superieure prestaties in zeer veeleisende plasmaomgevingen, waardoor het een onmisbare keuze is voor precisie-etsprocessen in de halfgeleiderindustrie.

Het etsproces, een fundamentele stap bij het maken van halfgeleiderapparaten, vereist apparatuur die bestand is tegen zware plasma-omgevingen zonder dat de kwaliteit ervan verslechtert. De etsring, gepositioneerd als onderdeel van de kamer waar plasma wordt gebruikt om patronen op siliciumwafels te etsen, speelt een cruciale rol in dit proces.

De etsring fungeert als een structurele en beschermende barrière en zorgt ervoor dat het plasma tijdens het etsproces precies daar wordt vastgehouden en gericht. Gezien de extreme omstandigheden in plasmakamers – zoals hoge temperaturen, corrosieve gassen en schurend plasma – is het essentieel dat de etsring is vervaardigd uit materialen die uitzonderlijke weerstand bieden tegen slijtage en corrosie. Dit is waar CVD SiC (Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide) zijn waarde bewijst als een topkeuze voor de productie van etsringen.

CVD SiC is een geavanceerd keramisch materiaal dat bekend staat om zijn uitstekende mechanische, chemische en thermische eigenschappen. Deze eigenschappen maken het een ideaal materiaal voor gebruik in halfgeleiderproductieapparatuur, vooral in het etsproces, waar prestatie-eisen hoog zijn.

Hoge hardheid en slijtvastheid:

CVD SiC is een van de hardste materialen die beschikbaar zijn, na diamant. Deze extreme hardheid zorgt voor een uitstekende slijtvastheid, waardoor het bestand is tegen de ruwe, schurende omgeving van plasma-etsen. De etsring, die tijdens het proces wordt blootgesteld aan voortdurend bombardement door ionen, kan zijn structurele integriteit gedurende langere perioden behouden in vergelijking met andere materialen, waardoor de frequentie van vervangingen wordt verminderd.

Chemische inertie:

Een van de voornaamste zorgen bij het etsproces is de corrosieve aard van plasmagassen, zoals fluor en chloor. Deze gassen kunnen aanzienlijke degradatie veroorzaken in materialen die niet chemisch resistent zijn. CVD SiC vertoont echter een uitzonderlijke chemische inertheid, vooral in plasmaomgevingen die corrosieve gassen bevatten, waardoor verontreiniging van de halfgeleiderwafels wordt voorkomen en de zuiverheid van het etsproces wordt gegarandeerd.

Thermische stabiliteit:

Halfgeleider-etsprocessen vinden vaak plaats bij hoge temperaturen, wat thermische spanning op materialen kan veroorzaken. CVD SiC heeft een uitstekende thermische stabiliteit en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt, waardoor het zijn vorm en structurele integriteit behoudt, zelfs bij hoge temperaturen. Dit minimaliseert het risico op thermische vervorming en zorgt voor een consistente etsprecisie gedurende de hele productiecyclus.

Hoge zuiverheid:

De zuiverheid van de materialen die worden gebruikt bij de productie van halfgeleiders is van het allergrootste belang, omdat elke verontreiniging de prestaties en opbrengst van halfgeleiderapparaten negatief kan beïnvloeden. CVD SiC is een materiaal met een hoge zuiverheid, dat het risico op het introduceren van onzuiverheden in het productieproces vermindert. Dit draagt ​​bij aan hogere opbrengsten en een betere algehele kwaliteit bij de productie van halfgeleiders.

De etsring van CVD SiC wordt voornamelijk gebruikt in plasma-etssystemen, die worden gebruikt om ingewikkelde patronen op halfgeleiderwafels te etsen. Deze patronen zijn essentieel voor het creëren van de microscopische circuits en componenten die te vinden zijn in moderne halfgeleiderapparaten, waaronder processors, geheugenchips en andere micro-elektronica.