GaN-epitaxie

Galliumnitride GaN-epitaxie is een halfgeleidermateriaal met een brede bandafstand en uitstekende elektrische en optische eigenschappen, waardoor het een veelbelovende kandidaat is voor verschillende elektronische en opto-elektronische apparaten.

GaN-epitaxie heeft een revolutie teweeggebracht in de ontwikkeling van op GaN gebaseerde apparaten, waaronder krachtige elektronica, solid-state verlichting (LED's) en hoogfrequente apparaten. Het vermogen om hoogwaardige GaN-epitaxiale lagen te laten groeien met nauwkeurige controle over materiaaleigenschappen heeft de prestaties, efficiëntie en betrouwbaarheid van GaN-apparaten aanzienlijk verbeterd, wat heeft bijgedragen aan vooruitgang in verschillende industrieën, zoals vermogenselektronica, telecommunicatie en consumentenelektronica.