SIC EPI -wafels

Semicorex SIC EPI -wafels zijn de wafels met een laag siC single kristalfilm gekweekt op het oppervlak van het substraat door chemische dampafzetting (CVD). Het dopingtype, dopingconcentratie en dikte kunnen nauwkeurig worden geregeld volgens de apparaatontwerpvereisten. Het is de kerncomponent van het functionele gebied van het apparaat.

Belangrijkste kenmerken van SIC EPI -wafels

De prestaties van epitaxiale wafels worden bepaald door de volgende kenmerken:

Doping -karaktertiek:

SIC EPI-wafels bereiken de vereiste elektrische eigenschappen door de dopingconcentratie (n-type of p-type) nauwkeurig te regelen, en concentratie-uniformiteit is een belangrijke indicator.

Diktebestrijding:

Volgens de ontwerpvereisten van het apparaat kan de dikte van de epitaxiale laag variëren van enkele micron tot tientallen micron. Hoogspanningsapparaten vereisen bijvoorbeeld dikkere epitaxiale lagen om hogere afbraakspanningen te ondersteunen.

Oppervlaktekwaliteit:

De oppervlakte -vlakheid van de epitaxiale laag heeft direct invloed op de productienauwkeurigheid van het apparaat. Op nanoschaal oppervlakteruwheid en lage defectdichtheid zijn de belangrijkste vereisten voor epitaxiale wafels.

Hoofdvoorbereidingsproces van SIC EPI -wafels

De productie van epitaxiale wafels wordt voornamelijk bereikt via CVD -technologie. De koolstofbron en siliciumbrongassen reageren bij hoge temperatuur en worden afgezet op het substraatoppervlak om een ​​epitaxiale laag te vormen.

Invloed van procesparameters:

Temperatuur, gasstroom, atmosfeer en andere factoren beïnvloeden direct de dikte, doping -uniformiteit en oppervlaktekwaliteit van de epitaxiale laag.

De kernrol van SIC EPI -wafels

Epitaxiale wafels spelen een beslissende rol in SIC -apparaten: als een actief gebied: zorg voor de vereiste elektrische eigenschappen, zoals de vorming van huidige kanalen of PN -juncties. Bepaal de prestaties van het apparaat: zoals belangrijke parameters zoals afbraakspanning en onresistentie.

Toepassingen in meerdere gebieden van SIC EPI -wafels

Nieuwe energievoertuigen: een dual-boost-motor voor uithoudingsvermogen en prestaties

Naarmate de wereldwijde auto -industrie zijn transformatie naar elektrificatie versnelt, is de prestatie -optimalisatie van nieuwe energievoertuigen de focus geworden van concurrentie tussen grote automakers. SIC EPI -wafels spelen hierin een onmisbare rol. In de kerncomponent van nieuwe energievoertuigen - het motoraandijfingssysteem, schitteren stroomapparaten op basis van siliciumcarbide epitaxiale wafels. Het kan hogere frequentieverschakelingsacties bereiken, de schakelverliezen aanzienlijk verminderen en de bedrijfsefficiëntie van de motor aanzienlijk verbeteren. Dit is hetzelfde als het injecteren van een sterke energiebron in de auto, die niet alleen het cruisebereik van het voertuig effectief verhoogt, maar ook het voertuig in staat stelt beter te presteren onder omstandigheden zoals versnelling en klimmen. Nadat sommige high -end elektrische voertuigen bijvoorbeeld siliciumcarbide -stroommodules hebben aangenomen, kan het drivingbereik worden verhoogd met 10% - 15% en kan de laadtijd sterk worden ingekort, wat veel gemak en betere rijervaring voor gebruikers brengt. Tegelijkertijd maakt de toepassing van siliciumcarbide epitaxiale wafels in termen van ingebouwde laders (OBC) en Power Conversion Systems (OBC) en Power Conversion Systems (DC-DC) ook om opladen ook efficiënter, kleiner in grootte en lichter in gewicht te maken, wat helpt om de algehele structuur van de auto te optimaliseren.

Power Electronics: The Cornerstone van het bouwen van een slim en efficiënt vermogensrooster

Op het gebied van stroomelektronica helpen SIC EPI -wafels de bouw van slimme rasters om nieuwe hoogten te bereiken. Traditionele op silicium gebaseerde machtsapparaten onthullen geleidelijk hun beperkingen in het licht van de groeiende vraag naar stroomoverdracht en conversie. Silicium carbide epitaxiale wafels, met hun uitstekende hoge spanning, hoge temperatuur en krachtige kenmerken, bieden een ideale oplossing voor het upgraden van stroomuitrusting. In de power -transmissieverlichting kunnen siliciumcarbidevermogende apparaten elektrische energie over lange afstanden overbrengen met een hogere efficiëntie, waardoor energieverlies tijdens het transmissieproces worden verminderd, net zoals een onbelemmerde "snelweg" voor elektrische energie, waardoor de vermogenstransmissiecapaciteit en de stabiliteit van het vermogensnet aanzienlijk wordt verbeterd. In termen van stroomconversie en distributie kan het gebruik van siliciumcarbide epitaxiale wafels in elektronische transformatoren, reactieve compensatieapparaten en andere apparatuur in onderstations, de stroomparameters nauwkeuriger regelen, een intelligente regulering van het energieroostelijk verbeteren, effectief de betrouwbaarheid en stroomkwaliteit van het energierijke en de betrouwbare stroomvoorziening in onze dagelijkse leven en industriële productie van industriële productie verbeteren.