SiC-epitaxie

Semicorex levert op maat gemaakte dunne film (siliciumcarbide) SiC-epitaxie op substraten voor de ontwikkeling van siliciumcarbide-apparaten.

SiC-epitaxie kan worden aangepast om aan specifieke apparaatvereisten te voldoen door doteerstoffen op te nemen of verschillende kristaloriëntaties te laten groeien. Het doteren van de epitaxiale laag met onzuiverheden zoals stikstof of aluminium maakt de wijziging van elektrische eigenschappen mogelijk, zoals het regelen van de dragerconcentratie of het creëren van pn-overgangen.

De kwaliteit van de epitaxiale SiC-laag wordt beoordeeld door middel van verschillende karakteriseringstechnieken, waaronder röntgendiffractie, scanning-elektronenmicroscopie, atoomkrachtmicroscopie en elektrische metingen. Deze technieken helpen bij het evalueren van de kristalstructuur, oppervlaktemorfologie en elektrische prestaties van de epitaxiale laag.

Semicorex kan aanbieden: SiC epitaxiale wafeltje, GaN epitaxiale wafeltje, Si Epitaxie, SiC wafeltje, enz.