- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws
Siliciumwafel
Siliciummateriaal is een vast materiaal met bepaalde elektrische halfgeleidereigenschappen en fysieke stabiliteit, en biedt substraatondersteuning voor het daaropvolgende productieproces van geïntegreerde schakelingen. Het is een belangrijk materiaal voor op silicium gebaseerde geïntegreerde schakel......
Lees verder
SiC-boten versus kwartsboten: huidig gebruik en toekomstige trends in de productie van halfgeleiders
Dit artikel gaat in op het gebruik en het toekomstige traject van siliciumcarbide (SiC) boten in relatie tot kwartsboten binnen de halfgeleiderindustrie, waarbij de nadruk specifiek ligt op hun toepassingen in de productie van zonnecellen.
Lees verder
Galliumnitride epitaxiale wafels: een inleiding tot het fabricageproces
Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafergroei is een complex proces, waarbij vaak gebruik wordt gemaakt van een tweestapsmethode. Deze methode omvat verschillende kritische fasen, waaronder bakken bij hoge temperatuur, groei van de bufferlaag, herkristallisatie en uitgloeien. Door de temperatuur gedure......
Lees verder
Wat is het verschil tussen epitaxiale en diffusiewafels
Zowel epitaxiale als diffuse wafers zijn essentiële materialen bij de productie van halfgeleiders, maar ze verschillen aanzienlijk in hun fabricageprocessen en doeltoepassingen. Dit artikel gaat dieper in op de belangrijkste verschillen tussen deze wafeltypes.
Lees verder
Siliciumcarbidesubstraat Kernprocesstroom
Siliciumcarbidesubstraat is een samengesteld halfgeleider-monokristalmateriaal dat bestaat uit twee elementen, koolstof en silicium. Het heeft de kenmerken van een grote bandafstand, hoge thermische geleidbaarheid, hoge kritische doorslagveldsterkte en een hoge driftsnelheid van de elektronenverzadi......
Lees verder
