Etsen is een essentieel proces bij de productie van halfgeleiders. Dit proces kan worden onderverdeeld in twee typen: droog etsen en nat etsen. Elke techniek heeft zijn eigen voordelen en beperkingen, waardoor het van cruciaal belang is om de verschillen ertussen te begrijpen. Dus, hoe kies je de be......
Lees verderDe huidige halfgeleiders van de derde generatie zijn voornamelijk gebaseerd op siliciumcarbide, waarbij substraten 47% van de apparaatkosten voor hun rekening nemen, en epitaxie 23%, in totaal ongeveer 70%, en het meest cruciale onderdeel vormen van de productie-industrie van SiC-apparaten.
Lees verderEr wordt verwacht dat halfgeleiders met een brede bandafstand (WBG), zoals siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN), een steeds belangrijkere rol zullen spelen in vermogenselektronische apparaten. Ze bieden verschillende voordelen ten opzichte van traditionele silicium (Si)-apparaten, waaronder......
Lees verder