> Nieuws

Nieuws

Inleiding tot vermogensapparaten van siliciumcarbide

Siliciumcarbide (SiC) vermogensapparaten zijn halfgeleiderapparaten gemaakt van siliciumcarbidematerialen, die voornamelijk worden gebruikt in elektronische toepassingen met hoge frequentie, hoge temperatuur, hoge spanning en hoog vermogen. Vergeleken met traditionele op silicium (Si) gebaseerde ene......

Lees verder

Siliciumcarbide Wafer-epitaxietechnologie

Siliciumcarbide maakt over het algemeen gebruik van de PVT-methode, met een temperatuur van meer dan 2000 graden, een lange verwerkingscyclus en een lage output, waardoor de kosten van siliciumcarbide-substraten erg hoog zijn.

Lees verder

Een korte geschiedenis van siliciumcarbide en toepassingen van siliciumcarbidecoatings

De geschiedenis van siliciumcarbide (SiC) gaat terug tot 1891, toen Edward Goodrich Acheson het per ongeluk ontdekte tijdens een poging kunstmatige diamanten te synthetiseren. Acheson verwarmde een mengsel van klei (aluminosilicaat) en cokespoeder (koolstof) in een elektrische oven. In plaats van de......

Lees verder

Moeilijkheden bij de GaN-voorbereiding

Als halfgeleidermateriaal van de derde generatie wordt galliumnitride vaak vergeleken met siliciumcarbide. Galliumnitride demonstreert nog steeds zijn superioriteit met zijn grote bandafstand, hoge doorslagspanning, hoge thermische geleidbaarheid, hoge verzadigde elektronendriftsnelheid en sterke st......

Lees verder

Inleiding tot halfgeleiders van de derde generatie: GaN en gerelateerde epitaxiale technologieën

GaN-materialen kregen bekendheid na de toekenning van de Nobelprijs voor natuurkunde in 2014 voor blauwe LED's. Aanvankelijk kwamen ze onder de aandacht van het publiek via snellaadtoepassingen in consumentenelektronica, maar op GaN gebaseerde eindversterkers en RF-apparaten zijn ook stilletjes naar......

Lees verder

Substraat versus epitaxie: sleutelrollen bij de productie van halfgeleiders

Op het gebied van halfgeleidertechnologie en micro-elektronica zijn de concepten van substraten en epitaxie van groot belang. Ze spelen een cruciale rol in het productieproces van halfgeleiderapparaten. Dit artikel gaat dieper in op de verschillen tussen halfgeleidersubstraten en epitaxie, en behand......

Lees verder

<...12 13 14 15 16...30 >