- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws
Introductie van kerntechnologie van grafietboot
Graphite Boat loopt voorop op het gebied van technologische innovatie in zijn branche en beschikt over een reeks baanbrekende verbeteringen die zijn ontworpen om de prestaties, zuiverheid en levensduur te verbeteren. Hieronder gaan we dieper in op de kerntechnologieën die de uitmuntendheid van grafi......
Lees verder
Poreus grafiet voor hoogwaardige SiC-kristalgroei door PVT-methode
Siliciumcarbide (SiC) is uitgegroeid tot een sleutelmateriaal op het gebied van halfgeleidertechnologie en biedt uitzonderlijke eigenschappen die het zeer wenselijk maken voor diverse elektronische en opto-elektronische toepassingen. De productie van hoogwaardige SiC-eenkristallen is cruciaal voor h......
Lees verder
3 methoden voor grafietgieten
De vier belangrijkste vormmethoden voor grafietgieten zijn: extrusiegieten, gieten, vibrerend gieten en isostatisch gieten. De meeste gangbare koolstof/grafietmaterialen op de markt worden gevormd door hete extrusie en gieten (koud of heet), en isostatisch gieten is een methode met toonaangevende vo......
Lees verder
Wat is isostatisch grafiet?
Speciaal grafiet is grafiet met een koolstofmassafractie van meer dan 99,99%, ook bekend als "drie hoge grafiet" (hoge sterkte, hoge dichtheid, hoge zuiverheid). Het wordt gekenmerkt door hoge sterkte, hoge dichtheid, hoge zuiverheid, hoge chemische stabiliteit, hoge thermische en elektrische geleid......
Lees verder
Introductie van fysiek damptransport (PVT)
De eigen kenmerken van SiC bepalen dat de groei van één kristal moeilijker is. Vanwege de afwezigheid van Si:C=1:1 vloeibare fase bij atmosferische druk, kan het meer volwassen groeiproces dat door de hoofdstroom van de halfgeleiderindustrie wordt aangenomen, niet worden gebruikt om de meer volwasse......
Lees verder
Op de markt gebrachte 850V High Power GaN HEMT epitaxiale producten
In november 2023 bracht Semicorex 850V GaN-op-Si epitaxiale producten op de markt voor toepassingen met HEMT-vermogensapparaten met hoge spanning en hoge stroomsterkte. Vergeleken met andere substraten voor HMET-vermogensapparaten maakt GaN-op-Si grotere wafergroottes en meer gediversifieerde toepas......
Lees verder
