Er worden momenteel verschillende materialen onderzocht, waarvan siliciumcarbide een van de meest veelbelovende is. Net als GaN beschikt het over hogere bedrijfsspanningen, hogere doorslagspanningen en een superieure geleidbaarheid in vergelijking met silicium. Bovendien kan siliciumcarbide, dankzij......
Lees verderTerwijl de wereld zoekt naar nieuwe mogelijkheden op het gebied van halfgeleiders, blijft galliumnitride opvallen als een potentiële kandidaat voor toekomstige energie- en RF-toepassingen. Ondanks alle voordelen die het biedt, staat het echter nog steeds voor een grote uitdaging; er zijn geen P-type......
Lees verderGalliumoxide (Ga2O3) is een veelbelovend materiaal gebleken voor diverse toepassingen, met name in elektrische apparaten en radiofrequentie (RF) apparaten. In dit artikel onderzoeken we de belangrijkste kansen en doelmarkten voor galliumoxide in deze domeinen.
Lees verderGalliumoxide (Ga2O3) als halfgeleidermateriaal met ultrabrede bandafstand heeft aanhoudende aandacht gekregen. Halfgeleiders met een ultrabrede bandafstand vallen onder de categorie van ‘halfgeleiders van de vierde generatie’, en in vergelijking met halfgeleiders van de derde generatie, zoals silici......
Lees verderGrafitiseren is het proces waarbij niet-grafietische houtskool wordt omgezet in grafiethoutskool met een driedimensionale, regelmatig geordende grafietstructuur door hittebehandeling bij hoge temperatuur, waarbij volledig gebruik wordt gemaakt van elektrische weerstandswarmte om het houtskoolmateria......
Lees verderDe gecoate onderdelen in halfgeleider silicium monokristallijn heetveld worden over het algemeen gecoat met de CVD-methode, inclusief pyrolytische koolstofcoating, siliciumcarbidecoating en tantaalcarbidecoating, elk met verschillende kenmerken.
Lees verder