- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws
Een korte geschiedenis van siliciumcarbide en toepassingen van siliciumcarbidecoatings
De geschiedenis van siliciumcarbide (SiC) gaat terug tot 1891, toen Edward Goodrich Acheson het per ongeluk ontdekte tijdens een poging kunstmatige diamanten te synthetiseren. Acheson verwarmde een mengsel van klei (aluminosilicaat) en cokespoeder (koolstof) in een elektrische oven. In plaats van de......
Lees verder
Moeilijkheden bij de GaN-voorbereiding
Als halfgeleidermateriaal van de derde generatie wordt galliumnitride vaak vergeleken met siliciumcarbide. Galliumnitride demonstreert nog steeds zijn superioriteit met zijn grote bandafstand, hoge doorslagspanning, hoge thermische geleidbaarheid, hoge verzadigde elektronendriftsnelheid en sterke st......
Lees verder
Inleiding tot halfgeleiders van de derde generatie: GaN en gerelateerde epitaxiale technologieën
GaN-materialen kregen bekendheid na de toekenning van de Nobelprijs voor natuurkunde in 2014 voor blauwe LED's. Aanvankelijk kwamen ze onder de aandacht van het publiek via snellaadtoepassingen in consumentenelektronica, maar op GaN gebaseerde eindversterkers en RF-apparaten zijn ook stilletjes naar......
Lees verder
Substraat versus epitaxie: sleutelrollen bij de productie van halfgeleiders
Op het gebied van halfgeleidertechnologie en micro-elektronica zijn de concepten van substraten en epitaxie van groot belang. Ze spelen een cruciale rol in het productieproces van halfgeleiderapparaten. Dit artikel gaat dieper in op de verschillen tussen halfgeleidersubstraten en epitaxie, en behand......
Lees verder
Sleutelparameters van siliciumcarbide (SiC) substraten
Het productieproces van siliciumcarbide (SiC) omvat de voorbereiding van substraat en epitaxie vanaf de materiaalkant, gevolgd door het ontwerp en de productie van de chip, de verpakking van apparaten en ten slotte de distributie naar downstream-toepassingsmarkten. Van deze fasen is de verwerking va......
Lees verder
