- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws uit de sector
4e generatie halfgeleiders galliumoxide/β-Ga2O3
De eerste generatie halfgeleidermaterialen bestaat voornamelijk uit silicium (Si) en germanium (Ge), dat in de jaren vijftig begon te stijgen. Germanium was in de begintijd dominant en werd voornamelijk gebruikt in laagspannings-, laagfrequente, middenvermogentransistors en fotodetectoren, maar vanw......
Lees verder
Defectvrije epitaxiale groei en misfit-dislocaties
Defectvrije epitaxiale groei vindt plaats wanneer het ene kristalrooster vrijwel identieke roosterconstanten heeft als het andere. Groei vindt plaats wanneer roosterlocaties van de twee roosters in het grensvlakgebied ongeveer overeenkomen, wat mogelijk is met een kleine roostermismatch (minder dan ......
Lees verder
Oxidatieproces
De meest fundamentele fase van alle processen is het oxidatieproces. Het oxidatieproces bestaat uit het plaatsen van de siliciumwafel in een atmosfeer van oxidatiemiddelen zoals zuurstof of waterdamp voor warmtebehandeling bij hoge temperatuur (800 ~ 1200 ℃), en er vindt een chemische reactie plaats......
Lees verder
Waarom groeit Gllium Nitride (GaN) epitaxie niet op een GaN-substraat?
De groei van GaN-epitaxie op GaN-substraat vormt een unieke uitdaging, ondanks de superieure eigenschappen van het materiaal in vergelijking met silicium. GaN-epitaxie biedt aanzienlijke voordelen in termen van bandbreedte, thermische geleidbaarheid en doorslagelektrisch veld ten opzichte van op sil......
Lees verder
