Het dunnefilmafzettingsproces van halfgeleiders is een essentieel onderdeel van de moderne micro-elektronicatechnologie. Het omvat het construeren van complexe geïntegreerde schakelingen door een of meer dunne lagen materiaal op een halfgeleidersubstraat aan te brengen.
Lees verderSiliciumcarbide (SiC) is een halfgeleidermateriaal met een grote bandafstand dat de afgelopen jaren veel aandacht heeft gekregen vanwege zijn uitzonderlijke prestaties in toepassingen met hoge spanning en hoge temperaturen. Deze studie onderzoekt systematisch de verschillende kenmerken van SiC-krist......
Lees verder4H-SiC, als halfgeleidermateriaal van de derde generatie, staat bekend om zijn grote bandafstand, hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende chemische en thermische stabiliteit, waardoor het zeer waardevol is in toepassingen met hoog vermogen en hoge frequentie.
Lees verder