Poreuze tantaalcarbide keramiek

Semicorex poreus tantaalcarbide keramiek is een keramisch materiaal met ultrahoge temperaturen en een smeltpunt van ongeveer 3880 ℃, dat stabiele prestaties kan behouden in de uitdagende werkomgevingen met hoge temperaturen en hoge corrosie dankzij de volgende uitstekende prestatiekenmerken.

1. Uitstekende thermische eigenschappen

De maximale werktemperatuur van Semicorex poreustantaalcarbide keramiekkan tot 3200 ℃ zijn, en het kan langdurig stabiel werken bij hoge temperatuur siliciumcarbidekristalgroeiomstandigheden zonder enige vervorming of verzachting.

2. Uitzonderlijke chemische stabiliteit

Semicorex poreus tantaalcarbide keramiek vertoont een betere corrosieweerstand en oxidatieweerstand dan conventionele keramiek. Het is effectief bestand tegen de corrosie van zuurstof en Si-damp op hoge temperatuur tijdens het kristalgroeiproces.

3. Speciale poreuze structuur

Semicorex poreus tantaalcarbide-keramiek heeft gelijkmatig verdeelde interne poriën, met een porositeit tussen 10-60% (aanpasbaar) en een door-poriënpercentage van meer dan 98%. Deze speciale structuur zorgt ervoor dat dampfase-elementen zoals Si en C soepel in de kristalgroeioven kunnen stromen en diffunderen, waardoor de groei van hoogwaardige kristallen aanzienlijk wordt vergemakkelijkt.

Toepassing bij de kristalgroei van siliciumcarbide

Tijdens de kristalgroei van siliciumcarbide via het PVT-proces functioneert het poreuze tantaalcarbide-keramiek van Semicorex voornamelijk bij dampfase-elementfiltratie, regeling van de oventemperatuurgradiënt en geleiding van gasmateriaalstromen. Anders dan conventionele poreuze TaC-gecoate grafietmaterialen, vertoont het poreuze tantaalcarbide-keramiek van Semicorex duidelijke voordelen: het elimineert poreuzeTaC-gecoat grafietHet nadeel van materialen van een lage doorvoersnelheid veroorzaakt door coatingbehandeling, terwijl het pijnpunt van het loslaten van de coating bij poreuze TaC-gecoate grafietmaterialen tijdens gebruik wordt vermeden. Door het gebruik van poreus tantaalcarbide-keramiek van Semicorex kunt u op effectieve wijze koolstofinsluitingsdefecten in de kristalgroei van siliciumcarbide tegengaan, waardoor de kwaliteit van de kristalgroei en de productopbrengst aanzienlijk worden verbeterd.