PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders

Semicorex PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor is speciaal ontworpen voor hoge temperaturen en agressieve chemische reinigingsomgevingen die nodig zijn voor epitaxiale groei en waferhanteringsprocessen. Onze ultrazuivere PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders is ontworpen om wafers te ondersteunen tijdens dunnefilmdepositiefasen zoals MOCVD- en epitaxiale susceptors, pannenkoek- of satellietplatforms. Onze met SiC gecoate drager heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, uitstekende warmteverdelingseigenschappen en een hoge thermische geleidbaarheid. Wij bieden kosteneffectieve oplossingen aan onze klanten en onze producten bestrijken vele Europese en Amerikaanse markten. Semicorex kijkt ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te zijn.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor van Semicorex is de ideale oplossing voor dunne-filmdepositiefasen zoals MOCVD, epitaxie susceptors, pannenkoek- of satellietplatforms, en verwerking van wafers, zoals etsen. Onze ultrazuivere grafietdrager is ontworpen om wafers te ondersteunen en bestand te zijn tegen agressieve chemische reiniging en omgevingen met hoge temperaturen. De met SiC gecoate drager heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, uitstekende warmteverdelingseigenschappen en een hoge thermische geleidbaarheid. Onze producten zijn kosteneffectief en hebben een goed prijsvoordeel.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders.

Parameters van PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300