Bij Semicorex hebben we de PSS Etching Carrier Tray voor LED speciaal ontworpen voor de zware omstandigheden die nodig zijn voor epitaxiale groei en waferhanteringsprocessen. Onze ultrazuivere grafietdrager is ideaal voor dunnefilmdepositiefasen zoals MOCVD, epitaxie-susceptors, pannenkoek- of satellietplatforms en verwerking van wafers, zoals etsen. De met SiC gecoate drager heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, uitstekende warmteverdelingseigenschappen en een hoge thermische geleidbaarheid. Onze PSS Etching Carrier Tray voor LED is kosteneffectief en biedt een goed prijsvoordeel. We bedienen veel Europese en Amerikaanse markten en kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
De PSS Etching Carrier Tray voor LED van Semicorex is ontworpen voor zware omstandigheden die nodig zijn voor epitaxiale groei en waferhanteringsprocessen. Onze ultrazuivere grafietdrager is ontworpen om wafers te ondersteunen tijdens dunnefilmdepositiefasen zoals MOCVD- en epitaxiale susceptors, pannenkoek- of satellietplatforms. De met SiC gecoate drager heeft een hoge hitte- en corrosieweerstand, uitstekende warmteverdelingseigenschappen en een hoge thermische geleidbaarheid. Onze producten zijn kosteneffectief en hebben een goed prijsvoordeel. We bedienen veel Europese en Amerikaanse markten en kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
Contact us today to learn more about our PSS Etching Carrier Tray for LED.
Parameters van PSS-etsdraagbak voor LED
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van PSS Etsdraagbak voor LED
- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden