Platte receptor met SiC-coating

SemicorexSiC-coatingFlat Susceptor is een essentiële waferhouder ontworpen voor epitaxiale groeiprocessen bij de productie van halfgeleiders. Deze susceptor is speciaal ontworpen om de afzetting van epitaxiale lagen op substraten te ondersteunen en is ideaal voor hoogwaardige toepassingen zoals LED-apparaten, apparaten met hoog vermogen en RF-communicatietechnologieën. Door gebruik te maken van de CVD-techniek (Chemical Vapour Deposition) wordt de precieze groei van kritische lagen mogelijk, zoals GaAs op siliciumsubstraten, SiC op geleidende SiC-substraten en GaN op semi-isolerende SiC-substraten.

Tijdens het wafelvervaardigingsproces moeten sommige wafelsubstraten verder epitaxiale lagen construeren om de vervaardiging van apparaten te vergemakkelijken. Typische voorbeelden zijn onder meer LED-lichtgevende apparaten, waarvoor epitaxiale GaAs-lagen op siliciumsubstraten moeten worden aangebracht; Epitaxiale SiC-lagen worden op geleidende SiC-substraten gegroeid om apparaten zoals SBD's en MOSFET's te construeren voor hoogspannings-, hoge stroom- en andere vermogenstoepassingen; GaN epitaxiale lagen zijn geconstrueerd op semi-isolerende SiC-substraten om HEMT en andere apparaten voor communicatie en andere radiofrequentietoepassingen verder te construeren. Dit proces is onlosmakelijk verbonden met CVD-apparatuur.

Bij CVD-apparatuur kan het substraat niet rechtstreeks op metaal worden geplaatst of eenvoudigweg op een basis voor epitaxiale afzetting, omdat er verschillende factoren bij betrokken zijn, zoals de gasstroomrichting (horizontaal, verticaal), temperatuur, druk, fixatie en vallende verontreinigingen. Daarom is een basis nodig, waarna het substraat op een bak wordt geplaatst en vervolgens epitaxiale afzetting op het substraat wordt uitgevoerd met behulp vanCVD-technologie. Deze basis is een SiC-gecoate grafietbasis (ook wel tray genoemd).

Toepassingen

DeSiC-coatingFlat Susceptor wordt in verschillende industrieën gebruikt voor verschillende toepassingen:

LED-productie: Bij de productie van op GaAs gebaseerde LED's houdt de susceptor siliciumsubstraten vast tijdens het CVD-proces, waardoor wordt verzekerd dat de epitaxiale GaAs-laag nauwkeurig wordt afgezet.

Apparaten met hoog vermogen: Voor apparaten zoals op SiC gebaseerde MOSFET's en Schottky Barrier Diodes (SBD's) ondersteunt de susceptor de epitaxiale groei van SiC-lagen op geleidende SiC-substraten, essentieel voor toepassingen met hoge spanning en hoge stroom.

RF-communicatieapparatuur: Bij de ontwikkeling van GaN HEMT's op semi-isolerende SiC-substraten biedt de susceptor de stabiliteit die nodig is om precieze lagen te laten groeien die cruciaal zijn voor hoogfrequente en hoogwaardige RF-toepassingen.

De veelzijdigheid van de SiC Coating Flat Susceptor maakt het een essentieel hulpmiddel bij de groei van epitaxiale lagen voor deze diverse toepassingen.

Als een van de kerncomponenten van MOCVD-apparatuur is de grafietkroes de drager en het verwarmingselement van het substraat, dat rechtstreeks de uniformiteit en zuiverheid van het dunne-filmmateriaal bepaalt. Daarom heeft de kwaliteit ervan rechtstreeks invloed op de bereiding van epitaxiale wafels. Tegelijkertijd raakt het heel gemakkelijk versleten door de toenemende gebruikstijden en veranderingen in de werkomstandigheden, en is het een verbruiksartikel.

De SiC Coating Flat Susceptor is ontworpen om te voldoen aan de strenge eisen van het CVD-proces:

• Geoptimaliseerde gasstroom: Het platte ontwerp van de susceptor helpt een consistente gasstroom rond het substraat te behouden, wat van cruciaal belang is voor de uniforme afzetting van epitaxiale lagen.
• Temperatuurcontrole: Met zijn hoge thermische geleidbaarheid maakt de SiC Coating Flat Susceptor een nauwkeurige controle van de temperatuur tijdens het afzettingsproces mogelijk. Dit zorgt ervoor dat het substraat binnen het vereiste temperatuurbereik blijft, wat essentieel is voor het bereiken van de gewenste materiaaleigenschappen.
• Gemakkelijk te hanteren: Het vlakke, gladde oppervlak van de susceptor maakt het gemakkelijk om substraten te hanteren en te laden/lossen zonder schade aan de delicate wafer te veroorzaken of verontreinigingen te introduceren.

Door een stabiel, schoon en thermisch efficiënt platform voor epitaxiale groei te bieden, verbetert de SiC Coating Flat Susceptor de algehele prestaties en opbrengst van het CVD-proces aanzienlijk.

SemicorexSiC-coatingFlat Susceptor is ontworpen om te voldoen aan de hoogste normen van precisie en kwaliteit en garandeert uitstekende prestaties in kritische halfgeleiderproductieprocessen. Wij bewijzen consistente producten en betrouwbare resultaten in CVD-systemen te leveren, waardoor de productie van superieure halfgeleiderapparaten mogelijk wordt gemaakt. Met opmerkelijke chemische bestendigheid, uitzonderlijk thermisch beheer en ongeëvenaarde duurzaamheid onderscheidt Semicorex SiC Coating Flat Susceptor zich als de definitieve keuze voor fabrikanten die de epitaxieprocessen van wafers willen optimaliseren.

Semicorex SiC Coating Flat Susceptor is een onmisbaar onderdeel bij de fabricage van halfgeleiderapparaten die epitaxiale groei vereisen. De superieure duurzaamheid, weerstand tegen thermische en chemische spanningen en het vermogen om precieze omstandigheden te handhaven tijdens het afzettingsproces maken het essentieel voor moderne CVD-systemen. Met de Semicorex SiC Coating Flat Susceptor krijgen fabrikanten een robuuste oplossing voor het bereiken van epitaxiale lagen van de hoogste kwaliteit, waardoor uitstekende prestaties worden gegarandeerd voor talloze halfgeleidertoepassingen. Werk samen met Semicorex om uw productieproces naar een hoger niveau te tillen met producten die zorgvuldig zijn ontworpen voor optimale efficiëntie en betrouwbaarheid.