China Siliciumcarbide (SiC) fabrikanten, leveranciers, fabriek

Siliciumcarbide-keramiek (SiC) is een geavanceerd keramisch materiaal dat silicium en koolstof bevat. Korrels siliciumcarbide kunnen door sinteren aan elkaar worden gebonden om zeer harde keramiek te vormen. Semicorex levert op maat gemaakte siliciumcarbide-keramiek zoals u dat wenst.

Toepassingen

Bij siliciumcarbide keramiek blijven de materiaaleigenschappen constant tot temperaturen boven 1.400°C. De hoge Young’s modulus > 400 GPa zorgt voor een uitstekende maatvastheid.

Een typische toepassing voor siliciumcarbidecomponenten is de dynamische afdichtingstechnologie met behulp van wrijvingslagers en mechanische afdichtingen, bijvoorbeeld in pompen en aandrijfsystemen.

● Ashuls  →

● Bus  →    

● Mechanische afdichting  →

Met de geavanceerde eigenschappen is siliciumcarbidekeramiek ook ideaal voor gebruik in de halfgeleiderindustrie.

● Waferdrager  →  

● Wafelboot  →  

Waferboten →
Semicorex Wafer Boat is gemaakt van gesinterd siliciumcarbide-keramiek, dat goed bestand is tegen corrosie en uitstekend bestand is tegen hoge temperaturen en thermische schokken. Geavanceerde keramiek levert uitstekende thermische weerstand en plasmaduurzaamheid, terwijl deeltjes en verontreinigingen worden verminderd voor waferdragers met hoge capaciteit.

Reactie gesinterd siliciumcarbide

Vergeleken met andere sinterprocessen is de grootteverandering bij reactiesinteren tijdens het verdichtingsproces klein en kunnen producten met nauwkeurige afmetingen worden geproduceerd. De aanwezigheid van een grote hoeveelheid SiC in het gesinterde lichaam maakt echter de prestaties bij hoge temperaturen van door reactie gesinterde SiC-keramiek slechter.

Drukloos gesinterd siliciumcarbide

Drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSiC) is een bijzonder licht en tegelijkertijd hard hoogwaardig keramiek. SSiC wordt gekenmerkt door een hoge sterkte, die zelfs bij extreme temperaturen vrijwel constant blijft.

Herkristall siliciumcarbide

Herkristalliseerd siliciumcarbide (RSiC) zijn materialen van de volgende generatie die worden gevormd door het mengen van hoogzuiver siliciumcarbide grof poeder en hoogactief siliciumcarbide fijn poeder, en na het voegen vacuüm sinteren bij 2450 ° C om te herkristalliseren.