RTA SiC-waferdragers

Snel thermisch uitgloeien is een thermische verwerkingstechniek die veel wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Met behulp van halogeen-infraroodlampen als warmtebron worden wafers of halfgeleidermaterialen snel verwarmd tot temperaturen tussen 300 ℃ en 1200 ℃ met een extreem snelle verwarmingssnelheid, gevolgd door snelle afkoeling. Een snel thermisch gloeiproces kan restspanningen en defecten in wafers en halfgeleidermaterialen elimineren, waardoor de materiaalkwaliteit en prestaties worden verbeterd. RTA SiC-waferdragers zijn de onmisbare draagcomponent die veel wordt gebruikt in het RTA-proces, die de wafer- en halfgeleidermaterialen tijdens bedrijf stabiel kan ondersteunen en een consistent thermisch behandelingseffect garandeert.

De voordelen van Semicorex RTA SiC waferdragers

1. Superieure mechanische sterkte en hardheid

Semicorex RTA SiC waferdragers leveren uitstekende mechanische sterkte en hardheid en zijn bestand tegen verschillende mechanische spanningen onder zware RTA-omstandigheden, terwijl ze maatvast en duurzaam blijven. Dankzij hun uitstekende hardheid is het oppervlak van de RTA SiC-waferdragers minder gevoelig voor krassen, wat zorgt voor een vlak, glad steunoppervlak dat effectief schade aan de wafels veroorzaakt door krassen op de drager voorkomt.

2. Uitzonderlijke thermische geleidbaarheid

Semicorex RTA SiC waferdragers beschikken over een uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, waardoor ze warmte effectief kunnen verspreiden en geleiden. Ze kunnen nauwkeurige temperatuurcontrole bieden tijdens snelle thermische verwerking, waardoor het risico op thermische schade aan wafers aanzienlijk wordt verlaagd en de uniformiteit en consistentie van het uitgloeiproces worden verbeterd.

3. Uitstekende thermische stabiliteit

Siliciumcarbide heeft een smeltpunt van ongeveer 2700 °C en behoudt een uitstekende stabiliteit bij continue bedrijfstemperaturen van 1350–1600 °C. Dit geeft SemicorexRTA SiC-waferdragerssuperieure thermische stabiliteit voor RTA-bedrijfsomstandigheden bij hoge temperaturen. Bovendien kunnen Semicorex RTA SiC-waferdragers, dankzij hun lage thermische uitzettingscoëfficiënt, scheuren of schade voorkomen die wordt veroorzaakt door ongelijkmatige thermische uitzetting en samentrekking tijdens snelle verwarmings- en koelcycli.

4. Uitstekende prestaties met weinig vervuiling

Gemaakt van zorgvuldig geselecteerde hoge zuiverheidsiliciumcarbideSemicorex RTA SiC-waferdragers hebben een laag onzuiverheidsgehalte. Dankzij hun opmerkelijke chemische bestendigheid kunnen Semicorex RTA SiC-waferdragers corrosie door procesgassen tijdens snel thermisch uitgloeien voorkomen, waardoor waferverontreiniging veroorzaakt door de reactanten wordt geminimaliseerd en wordt voldaan aan de strikte reinheidseisen van halfgeleiderproductieprocessen.