Semicorex TaC Coated Tube vertegenwoordigt het toppunt van materiaalwetenschap, ontworpen om de extreme omstandigheden te weerstaan die zich voordoen bij de geavanceerde halfgeleiderfabricage. Gemaakt door het aanbrengen van een dichte, uniforme laag TaC op een zeer zuiver isotroop grafietsubstraat via Chemical Vapour Deposition (CVD), biedt de TaC Coated Tube een overtuigende combinatie van eigenschappen die conventionele materialen overtreffen in veeleisende omgevingen met hoge temperaturen en chemisch agressieve omgevingen. **
De kracht van Semicorex TaC Coated Tube ligt in de synergetische combinatie van het basismateriaal en de gespecialiseerde coating:
Zeer zuivere isotrope grafietbasis:De kern van de TaC Coated Tube is gevormd uit isotropisch grafiet met ultrahoge zuiverheid, bekend om zijn uitstekende thermische geleidbaarheid, lage thermische uitzetting en inherente weerstand tegen thermische schokken. Deze basis biedt een robuust en stabiel platform dat bestand is tegen de snelle temperatuurschommelingen en hoge thermische belastingen die kenmerkend zijn voor de verwerking van halfgeleiders.
Tantaalcarbide---Een schild van duurzaamheid en traagheid:De door CVD aangebrachte TaC-coating transformeert het grafietsubstraat en zorgt voor uitzonderlijke hardheid, slijtvastheid en chemische inertie. Deze beschermende laag fungeert als een barrière tegen de agressieve gassen, plasma's en reactieve soorten die je tegenkomt tijdens de fabricage van halfgeleiders, waardoor de structurele integriteit en levensduur van de buis wordt gegarandeerd.
Deze unieke materiaalcombinatie vertaalt zich in een reeks voordelen die van cruciaal belang zijn voor de geavanceerde productie van halfgeleiders:
Ongeëvenaarde temperatuurbestendigheid:TaC beschikt over een van de hoogste smeltpunten van alle bekende materialen en overtreft zelfs siliciumcarbide (SiC). Dankzij deze extreme temperatuurbestendigheid kan de TaC Coated Tube betrouwbaar functioneren in processen die temperaturen van meer dan 2500 °C vereisen, waardoor de productie van halfgeleiderapparaten van de volgende generatie met veeleisende thermische budgetten mogelijk wordt.
Ultrahoge zuiverheid voor kritische procescontrole:Het handhaven van onberispelijke procesomgevingen is van cruciaal belang bij de fabricage van halfgeleiders. Het gebruik van zeer zuiver grafiet en het zorgvuldige CVD-coatingproces zorgen voor minimale uitgassing of deeltjesvorming uit de TaC-gecoate buis, waardoor verontreiniging wordt voorkomen die gevoelige waferoppervlakken en de prestaties van het apparaat in gevaar zou kunnen brengen.
Onwrikbare chemische weerstand:De chemische inertheid van de TaC Coated Tube biedt uitzonderlijke weerstand tegen een breed scala aan corrosieve gassen, reactieve ionen en plasma-omgevingen die vaak worden gebruikt in halfgeleiderprocessen zoals etsen, depositie en uitgloeien. Deze robuuste chemische stabiliteit vertaalt zich in een langere levensduur van de buizen, minder onderhoudsvereisten en lagere totale eigendomskosten.
Verbeterde mechanische duurzaamheid voor langere levensduur:De sterke hechtkracht tussen de TaC-coating en het grafietsubstraat, gekoppeld aan de inherente hardheid van de TaC-gecoate buis, zorgt voor uitzonderlijke weerstand tegen slijtage, erosie en mechanische spanning. Deze verbeterde duurzaamheid vertaalt zich in een langere levensduur en minder uitvaltijd voor vervanging, waardoor de procesefficiëntie en doorvoer worden verbeterd.