TAC Coating Half-Moon Deel

TAC-keramiek heeft een smeltpunt van maximaal 3880 ° C, hoge hardheid (MOHS hardheid 9-10), grote thermische geleidbaarheid (22W · m-1 · k-1), grote buigsterkte (340-400 mpa) en kleine thermische expansiecoëfficiënt (6,6 x 10−6k-1). Ze vertonen ook uitstekende thermochemische stabiliteit en uitstekende fysische eigenschappen en hebben een goede chemische en mechanische compatibiliteit met grafiet- en C/C -composieten. Daarom worden TAC -coatings op grote schaal gebruikt in thermische bescherming van ruimtevaart, enkele kristalgroei, energie -elektronica en medische hulpmiddelen.

TAC-gecoat grafiet heeft een betere chemische corrosieweerstand dan kaal grafiet of siC-gecoate grafiet, kan stabiel worden gebruikt bij hoge temperaturen van 2600 ° en reageert niet met veel metaalelementen. Het is de beste coating in de derde generatie halfgeleider single crystal groei en wafer etsenscenario's, en kan de controle van temperatuur en onzuiverheden in het proces aanzienlijk verbeteren en siliciumcarbidewafels van hoge kwaliteit en gerelateerde epitaxiale wafels voorbereiden. Het is vooral geschikt voor het kweken van GaN- of ALN -kristallen met MOCVD -apparatuur en het kweken van SIC -enkele kristallen met PVT -apparatuur. De kwaliteit van de volwassen enkele kristallen is aanzienlijk verbeterd.

Dit product is een ideale oplossing voor fabrikanten die prioriteit geven aan precisie, efficiëntie en duurzaamheid in hun epitaxy -processen. Vertrouw semicorex voor krachtige oplossingen die zijn ontworpen om te voldoen aan de zich ontwikkelende behoeften van de halfgeleiderindustrie.