TaC Coating voetstukondersteuning

Semicorex TaC Coating Pedestal Supporter speelt een sleutelrol bij mechanische ondersteuning, maar ook bij het beheersen van de processtroom. Bij gebruik in de reactor bevindt deze zich onder de hoofdkroes of waferdrager. Het vergrendelt het roterende samenstel op zijn plaats, houdt het thermische evenwicht in het voetstuk in stand en zorgt voor een gezonde gasstroom onder de waferzone. De TaC Coating Pedestal Supporter is gemaakt voor beide functies, inclusief een constructief gemaakte grafietbasis die is gecoat met een gelijkmatig dichte laag tantaalcarbide (TaC) door middel van chemische dampafzetting (CVD).

Tantaalcarbide is een van de meest vuurvaste en chemisch inerte materialen die er zijn, met een smeltpunt boven 3800 °C en een grote weerstand tegen corrosie en erosie. Wanneer CVD wordt gebruikt om te producerenTaC-coatingsHet eindresultaat is een gladde, dichte coating die het grafietsubstraat beschermt tegen oxidatie bij hoge temperaturen, ammoniakcorrosie en metaal-organische precursorreactie. Onder langdurige blootstelling aan corrosieve gassen of extreme thermische cycli geassocieerd met epitaxiale processen, blijft de voetstukondersteuning bestaan, waardoor de structurele en chemische stabiliteit behouden blijft.

Het eindresultaat is een gladde, dichte coating die het grafietsubstraat beschermt tegen oxidatie bij hoge temperaturen, ammoniakcorrosie en metaal-organische precursorreactie. Onder langdurige blootstelling aan corrosieve gassen of extreme thermische cycli geassocieerd met epitaxiale processen, blijft de voetstukondersteuning bestaan, waardoor de structurele en chemische stabiliteit behouden blijft.

Het belang van de voetstukondersteuning bij de regeling van de gasstroom moet eveneens worden opgemerkt. Een belangrijk aspect in het proces van epitaxiale afzetting is het garanderen van uniformiteit van de procesgassen die over het gehele oppervlak van de wafer stromen om een ​​consistente laaggroei te bereiken. De TaC Coating Pedestal Supporter is nauwkeurig bewerkt om de gasstroomkanalen en -geometrieën te controleren, waardoor procesgassen soepel en gelijkmatig naar de reactiezone worden geleid. Door de laminaire stroming te beheersen wordt turbulentie geminimaliseerd, worden dode zones geëlimineerd en ontstaat er een stabielere gasomgeving. Dit alles draagt ​​bij aan een superieure uniformiteit van de filmdikte en een betere epitaxiale kwaliteit.

DeTaC-coatingbiedt een hoge thermische geleidbaarheid en emissiviteit, waardoor de voetstukondersteuning ook warmte efficiënt kan geleiden en uitstralen. Dit zal ook leiden tot een betere algehele temperatuuruniformiteit op de susceptor en wafer, waarbij lagere temperatuurgradiënten minder variatie in kristalgroei veroorzaken. Bovendien biedt TaC een uitzonderlijke oxidatieweerstand, waardoor de emissiviteit consistent blijft tijdens langdurig gebruik, waardoor een nauwkeurige temperatuurkalibratie en herhaalbare procesprestaties worden gegarandeerd.

TaC Coating Pedestal Supporter heeft een hoge mechanische duurzaamheid, wat zorgt voor een langere levensduur. Het CVD-coatingproces creëert met name een solide moleculaire binding tussen de TaC-laag en het grafietsubstraat om delaminatie, barsten of loslaten door thermische spanning te voorkomen. Het is daarom een ​​onderdeel dat profiteert van honderden cycli bij hoge temperaturen zonder degradatie.