Semicorex Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet is de nieuwste innovatie op het gebied van siliciumcarbide (SiC) kristalgroeitechnologie. Semicorex streeft ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden*.
SemicorexTantaalcarbideGecoat poreus grafiet is speciaal ontworpen om verschillende aspecten van het SiC-kristalgroeiproces te optimaliseren, waaronder filtratie van dampcomponenten, aanpassing van de lokale temperatuurgradiënt, stroomrichtinggeleiding en lekkagecontrole.
De poreuze aard van het tantaalcarbide gecoate poreuze grafiet zorgt voor effectieve filtratie van dampcomponenten tijdens het SiC-kristalgroeiproces. Dit zorgt ervoor dat alleen de gewenste materialen bijdragen aan kristalvorming, waardoor de zuiverheid en algehele kwaliteit worden verbeterd. Het handhaven van een nauwkeurige temperatuurregeling is cruciaal bij de kristalgroei. Het met tantaalcarbide gecoate poreuze grafiet verbetert de thermische stabiliteit en geleidbaarheid van het poreuze grafiet, waardoor nauwkeurigere aanpassingen van lokale temperatuurgradiënten mogelijk zijn. Dit leidt tot een betere controle over de kristalmorfologie en groeisnelheid. Het structurele ontwerp van het Tantalum Carbide Coated Porous Graphite, gecombineerd met de TaC-coating, vergemakkelijkt de geleide stroom van stoffen. Dit zorgt ervoor dat materialen precies daar worden afgeleverd waar ze nodig zijn, waardoor een uniforme kristalgroei wordt bevorderd en de kans op defecten wordt verkleind. Effectieve controle op materiaallekkage is van cruciaal belang voor het behoud van de integriteit van de groeiomgeving. Het met tantaalcarbide gecoate poreuze grafiet biedt uitstekende afdichtingseigenschappen, voorkomt ongewenste lekkages en zorgt voor een stabiele en gecontroleerde groeiatmosfeer.
Voordelen van tantaalcarbide gecoat poreus grafiet:
Hoog smeltpunt en thermische stabiliteit:TaCheeft een uitzonderlijk hoog smeltpunt (rond 3880°C) en uitstekende thermische stabiliteit, waardoor Tantalum Carbide Coated Porous Graphite ideaal is voor toepassingen bij hoge temperaturen, zoals SiC-kristalgroei.
Chemische inertheid: TaC is zeer goed bestand tegen chemische reacties en zorgt ervoor dat de coating zelfs in agressieve omgevingen intact en effectief blijft.
Verbeterde duurzaamheid: De TaC-coating verhoogt de duurzaamheid van het poreuze grafiet aanzienlijk, waardoor de operationele levensduur van het met tantaalcarbide gecoate poreuze grafiet wordt verlengd en de noodzaak voor frequente vervangingen wordt verminderd.
Hoge porositeit: De hoge porositeit van het grafiet zorgt voor efficiënte filtratie en stroomregeling, essentieel voor hoogwaardige kristalgroei.
Lichtgewicht en sterk: Poreus grafiet is zowel lichtgewicht als mechanisch sterk, waardoor het gemakkelijk te hanteren is en bestand is tegen de ontberingen van het kristalgroeiproces.
Thermische geleidbaarheid: De uitstekende thermische geleidbaarheid van grafiet zorgt voor een efficiënte warmteverdeling, cruciaal voor het handhaven van consistente temperatuurgradiënten.
Semicorex Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet vertegenwoordigt een aanzienlijke vooruitgang in SiC-kristalgroeimaterialen. Door de unieke eigenschappen van TaC te combineren met de inherente voordelen van poreus grafiet, levert dit materiaal superieure prestaties op het gebied van filtratie van dampcomponenten, aanpassing van de temperatuurgradiënt, geleiding van de stroomrichting en controle van lekkage. De robuuste thermische stabiliteit, chemische inertheid en verbeterde duurzaamheid maken het van onschatbare waarde bij het nastreven van hoogwaardige SiC-kristallen.