AIN-substraat

Ongeëvenaarde thermische geleidbaarheid en elektrische isolatie

Het AIN-substraat van Semicorex valt vooral op door zijn uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, die cruciaal is voor het beheer van de warmte in elektronische apparaten met hoog vermogen. Met een standaard thermische geleidbaarheid van 175 W/m·K, en opties voor hoge (200 W/m·K) en ultrahoge thermische geleidbaarheid (230 W/m·K), voert het AIN-substraat effectief warmte af, waardoor de levensduur en levensduur worden gegarandeerd. betrouwbaarheid van componenten. In combinatie met zijn sterke elektrische isolatie-eigenschappen is het AIN-substraat het voorkeursmateriaal voor sub-mounts, printplaten (PCB's) en pakketten voor componenten met hoog vermogen en hoge betrouwbaarheid, evenals warmteverspreiders en diverse elektronische circuits.

Compatibiliteit met silicium en thermische uitzetting

Een van de opvallende kenmerken van het AIN-substraat is de thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE), die varieert van 4 tot 6 x 10^-6/K tussen 20 en 1000 °C. Deze CTE komt nauw overeen met die van silicium, waardoor het AIN-substraat een ideaal materiaal is voor de halfgeleiderindustrie en de verpakking van elektronische apparaten. Deze compatibiliteit vermindert het risico op thermische stress en zorgt voor een naadloze integratie met op silicium gebaseerde componenten, waardoor de algehele prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat worden verbeterd.

Maatwerk om aan uiteenlopende behoeften te voldoen

Semicorex biedt uitgebreide maatwerkdiensten voor het AIN-substraat, waardoor oplossingen op maat mogelijk zijn om aan specifieke toepassingsvereisten te voldoen. Of het nu gaat om het type slijpen, direct bakken, hoge buigweerstand, hoge thermische geleidbaarheid, polijsten of laserkrabben, Semicorex kan substraten leveren die zijn geoptimaliseerd voor de gewenste prestatiekenmerken. Dit niveau van maatwerk zorgt ervoor dat klanten substraten ontvangen die precies voldoen aan hun thermische, mechanische en elektrische behoeften.

Veelzijdigheid in metallisatie en elektronische toepassingen

Het AIN-substraat van Semicorex is compatibel met verschillende metallisatietechnieken, waaronder Direct Plated Copper (DPC), Direct Bonded Copper (DBC), Thick Film Printing, Thin Film Printing en Active Metal Brazing (AMB). Deze veelzijdigheid maakt hem geschikt voor een breed scala aan elektronische toepassingen, van krachtige LED's en geïntegreerde schakelingen (IC's) tot bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGBT's) en batterijtoepassingen. Het aanpassingsvermogen van het substraat aan verschillende metallisatiemethoden zorgt ervoor dat het effectief kan worden gebruikt in diverse elektronische systemen.

Ultradunne ontwerpmogelijkheden

Voor toepassingen waarbij ruimte en gewicht kritische overwegingen zijn, biedt Semicorex AIN-substraten met diktes zo dun als 0,1 mm. Deze ultradunne ontwerpmogelijkheid maakt de ontwikkeling van compacte en lichtgewicht elektronische apparaten mogelijk zonder concessies te doen aan de prestaties of betrouwbaarheid. Het vermogen om dergelijke dunne substraten te produceren breidt het scala aan toepassingen verder uit en vergroot de ontwerpflexibiliteit voor ingenieurs en ontwerpers.

Veilig en milieuvriendelijk alternatief voor BeO

In de halfgeleiderindustrie wordt aluminiumnitride steeds vaker gebruikt als vervanging voor berylliumoxide (BeO) vanwege het ongevaarlijke karakter ervan bij machinale bewerking. In tegenstelling tot BeO, dat tijdens de verwerking aanzienlijke gezondheidsrisico's met zich meebrengt, is AlN veilig te hanteren en te verwerken, waardoor het een milieuvriendelijker en veiliger alternatief is. Deze verschuiving verbetert niet alleen de veiligheid van werknemers, maar sluit ook aan bij strengere milieuregels en duurzaamheidsdoelstellingen.

Hoge mechanische sterkte

De mechanische sterkte van het AIN-substraat is een ander cruciaal voordeel. Met een biaxiale sterkte van meer dan 320 MPa zorgt het substraat voor duurzaamheid en veerkracht onder mechanische belasting. Deze hoge mechanische sterkte is van vitaal belang voor toepassingen die robuuste en betrouwbare materialen vereisen, vooral in krachtige elektronica en zware operationele omgevingen. De duurzaamheid van het AIN-substraat draagt ​​bij aan de lange levensduur en betrouwbaarheid van de apparaten waarin het wordt gebruikt.

Breed spectrum aan toepassingen

De unieke eigenschappen van het AIN-substraat maken het geschikt voor een breed spectrum aan krachtige en krachtige toepassingen:

Krachtige LED's: De uitzonderlijke thermische beheermogelijkheden van het AIN-substraat zorgen voor een efficiënte werking en langere levensduur van krachtige LED's.

Geïntegreerde schakelingen (IC's): De elektrische isolatie en thermische geleidbaarheid van het AIN-substraat maken het een ideale keuze voor IC's, waardoor de prestaties en betrouwbaarheid worden verbeterd.

Bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGBT's): Het vermogen van het substraat om hoge vermogens- en thermische belastingen te beheren is cruciaal voor de werking van IGBT's in verschillende toepassingen op het gebied van vermogenselektronica.

Batterijtoepassingen: Bij batterijtechnologieën zorgt het AIN-substraat voor effectief thermisch beheer, waardoor de veiligheid en prestaties worden verbeterd.

Piëzo-elektrische toepassingen: De mechanische sterkte en thermische eigenschappen van het substraat ondersteunen uiterst nauwkeurige piëzo-elektrische apparaten.

Krachtige motoren: De thermische geleidbaarheid en duurzaamheid van het AIN-substraat verbeteren de efficiëntie en levensduur van krachtige motoren.

Quantum Computing: Het nauwkeurige thermische beheer en de elektrische isolatie-eigenschappen van het AIN-substraat maken het geschikt voor geavanceerde quantum computing-toepassingen.