Elektrostatische klauwplaten van aluminiumnitride

De elektrostatische klauwplaten van aluminiumnitride maken gebruik van elektrostatische krachten om wafers veilig vast te houden tijdens verschillende halfgeleiderfabricageprocessen. Deze methode elimineert de noodzaak voor mechanische klemmen of vacuümsystemen, waardoor het risico op het ontstaan ​​van deeltjes en mechanische belasting op delicate wafers wordt verminderd. Een van de belangrijkste voordelen van de elektrostatische klauwplaten van aluminiumnitride is hun vermogen om een ​​zeer uniforme en stabiele elektrostatische kracht over het gehele wafeloppervlak te genereren. Dit zorgt voor consistent contact en voorkomt dat de wafel tijdens de verwerking wegglijdt of vervormt, wat leidt tot verbeterde uniformiteit in afgezette films, geëtste kenmerken en andere kritische parameters. Deze uniforme klemkracht minimaliseert ook wafervervorming, wat leidt tot verbeterde apparaatprestaties en opbrengst.

Wat de thermische eigenschappen betreft, zorgt de hoge thermische geleidbaarheid van de aluminiumnitride elektrostatische klauwplaten voor een efficiënte warmteafvoer tijdens processen bij hoge temperaturen, waardoor thermische stress wordt voorkomen en een uniforme temperatuurverdeling over de wafer wordt gegarandeerd. Dit is van cruciaal belang in toepassingen zoals snelle thermische verwerking en plasma-etsen, waarbij plaatselijke verwarming de prestaties van het apparaat negatief kan beïnvloeden. Bovendien gaat het productieproces van halfgeleiders vaak gepaard met snelle temperatuurovergangen. De hoge thermische schokbestendigheid van de aluminiumnitride elektrostatische klauwplaten zorgt ervoor dat deze plotselinge temperatuurveranderingen kan weerstaan ​​zonder degradatie of barsten, waardoor de lange levensduur en betrouwbare prestaties van de klauwplaat bij langdurig gebruik worden gegarandeerd. Bovendien beschikt AlN over een thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE) die nauw aansluit bij die van siliciumwafels. Deze compatibiliteit minimaliseert de spanning die wordt geïnduceerd op het wafer-chuck-grensvlak tijdens thermische cycli, waardoor waferbuiging, vervorming en potentiële defecten worden voorkomen die de opbrengst en prestaties van het apparaat kunnen beïnvloeden.

AlN is een mechanisch robuust materiaal met een hoge buigsterkte en breuktaaiheid. Dankzij deze inherente sterkte zijn de elektrostatische klauwplaten van aluminiumnitride bestand tegen de mechanische spanningen die optreden tijdens de productie van grote volumes, waardoor consistente prestaties en een langere levensduur worden gegarandeerd. Aan de andere kant vertoont AlN een uitstekende weerstand tegen een breed scala aan chemicaliën en plasma's die gewoonlijk worden gebruikt bij de verwerking van halfgeleiders. Het vertoont ook een superieure oxidatieweerstand, zelfs bij hoge temperaturen, waardoor het oppervlak van de elektrostatische aluminiumnitride-klauwplaten gedurende de hele levensduur ongerept en niet-vervuilend blijft.

Semicorex aluminiumnitride elektrostatische klauwplaten zijn verkrijgbaar in verschillende maten en diktes om tegemoet te komen aan verschillende waferdiameters en procesvereisten. Dit aanpassingsvermogen maakt ze geschikt voor een breed scala aan halfgeleiderproductietoepassingen, van onderzoek en ontwikkeling tot productie van grote volumes.