ICP-etswafelhouder

De ICP-etswafelhouder van Semicorex is de perfecte oplossing voor waferbehandelingsprocessen bij hoge temperaturen, zoals epitaxie en MOCVD. Met een stabiele oxidatieweerstand bij hoge temperaturen tot 1600°C zorgen onze dragers voor gelijkmatige thermische profielen en laminaire gasstroompatronen en voorkomen ze vervuiling of verspreiding van onzuiverheden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Op zoek naar een betrouwbare leverancier van waferdragers voor uw epitaxieapparatuur? Zoek niet verder dan Semicorex. Onze ICP-etswafelhouder is speciaal ontworpen voor agressieve chemische reinigingsomgevingen met hoge temperaturen. Met een fijne SiC-kristalcoating bieden onze dragers superieure hittebestendigheid, gelijkmatige thermische uniformiteit en duurzame chemische bestendigheid.
Onze ICP Etching Wafer Holder is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze ICP-etswafelhouder.

Parameters van ICP-etswafelhouder

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300