SiC-plaat voor ICP-etsproces

De SiC-plaat van Semicorex voor het ICP-etsproces is de perfecte oplossing voor hoge temperaturen en zware chemische verwerkingsvereisten bij het afzetten van dunne films en het hanteren van wafers. Ons product beschikt over superieure hittebestendigheid en gelijkmatige thermische uniformiteit, waardoor een consistente dikte en weerstand van de epilaag wordt gegarandeerd. Met een schoon en glad oppervlak zorgt onze uiterst zuivere SiC-kristalcoating voor een optimale verwerking van onberispelijke wafels.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Bereik epitaxie- en MOCVD-processen van de hoogste kwaliteit met de SiC-plaat van Semicorex voor het ICP-etsproces. Ons product is speciaal ontworpen voor deze processen en biedt superieure hitte- en corrosiebestendigheid. Onze fijne SiC-kristalcoating zorgt voor een schoon en glad oppervlak, waardoor wafels optimaal kunnen worden gehanteerd.

Onze SiC-plaat voor het ICP-etsproces is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-plaat voor het ICP-etsproces.

Parameters van SiC-plaat voor ICP-etsproces

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300