Siliciumcarbide ICP-etsdrager

Op zoek naar een betrouwbare waferdrager voor etsprocessen? Zoek niet verder dan de siliciumcarbide ICP-etsdrager van Semicorex. Ons product is ontworpen om hoge temperaturen en agressieve chemische reiniging te weerstaan, waardoor duurzaamheid en een lange levensduur worden gegarandeerd. Met een schoon en glad oppervlak is onze drager perfect voor het hanteren van ongerepte wafels.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Zorg voor optimale laminaire gasstroompatronen en een gelijkmatig thermisch profiel met Semicorex's Siliciumcarbide ICP Etching Carrier. Ons product is ontworpen om de best mogelijke resultaten te behalen bij de afzetting van dunne films en bij het hanteren van wafers. Met superieure hitte- en corrosiebestendigheid is onze drager de perfecte keuze voor veeleisende toepassingen.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze siliciumcarbide ICP-etsdrager heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze siliciumcarbide ICP-etsdrager.

Parameters van siliciumcarbide ICP-etsdrager

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300