ICP-plasma-etssysteem

De SiC-gecoate drager van Semicorex voor ICP-plasma-etssysteem is een betrouwbare en kosteneffectieve oplossing voor waferbehandelingsprocessen bij hoge temperaturen, zoals epitaxie en MOCVD. Onze dragers zijn voorzien van een fijne SiC-kristalcoating die superieure hittebestendigheid, gelijkmatige thermische uniformiteit en duurzame chemische bestendigheid biedt.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Bereik epitaxie- en MOCVD-processen van de hoogste kwaliteit met de SiC-gecoate drager van Semicorex voor ICP-plasma-etssysteem. Ons product is speciaal ontworpen voor deze processen en biedt superieure hitte- en corrosiebestendigheid. Onze fijne SiC-kristalcoating zorgt voor een schoon en glad oppervlak, waardoor wafels optimaal kunnen worden gehanteerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze SiC-gecoate drager voor ICP-plasma-etssysteem.

Parameters van SiC-gecoate drager voor ICP-plasma-etssysteem

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300