- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nieuws uit de sector
Sleutelparameters van siliciumcarbide (SiC) substraten
Het productieproces van siliciumcarbide (SiC) omvat de voorbereiding van substraat en epitaxie vanaf de materiaalkant, gevolgd door het ontwerp en de productie van de chip, de verpakking van apparaten en ten slotte de distributie naar downstream-toepassingsmarkten. Van deze fasen is de verwerking va......
Lees verder
Siliciumcarbide-toepassingen
Siliciumcarbide heeft een groot aantal toepassingen in opkomende industrieën en traditionele industrieën. Momenteel heeft de mondiale halfgeleidermarkt een omvang van meer dan 100 miljard yuan. Er wordt verwacht dat in 2025 de mondiale verkoop van halfgeleiderproductiematerialen 39,5 miljard dollar ......
Lees verder
Inleiding tot het implantatie- en gloeiproces van siliciumcarbide-ionen
Bij de traditionele vervaardiging van siliciumenergieapparaten vormen diffusie op hoge temperatuur en ionenimplantatie de belangrijkste methoden voor doteringscontrole, elk met zijn voor- en nadelen. Diffusie bij hoge temperaturen wordt doorgaans gekenmerkt door zijn eenvoud, kosteneffectiviteit, is......
Lees verder
Werkwijze voor het bereiden van SiC-poeder
Siliciumcarbide (SiC) is een anorganische stof. De hoeveelheid natuurlijk voorkomend siliciumcarbide is zeer klein. Het is een zeldzaam mineraal en wordt moissaniet genoemd. Siliciumcarbide dat in de industriële productie wordt gebruikt, wordt grotendeels kunstmatig gesynthetiseerd.
Lees verder
Epitaxiale lagen: de basis van geavanceerde halfgeleiderapparaten
In de halfgeleiderindustrie spelen epitaxiale lagen een cruciale rol door specifieke dunne films met één kristal te vormen bovenop een wafelsubstraat, gezamenlijk bekend als epitaxiale wafels. In het bijzonder produceren epitaxiale lagen van siliciumcarbide (SiC) gegroeid op geleidende SiC-substrate......
Lees verder
