Bij het groeien van SiC- en AlN-monokristallen via de fysische damptransportmethode (PVT) spelen componenten zoals de smeltkroes, de entkristalhouder en de geleidingsring een cruciale rol. Tijdens het bereidingsproces van SiC bevindt het kiemkristal zich in een relatief lage temperatuurregio, terwij......
Lees verderSiC-substraatmateriaal is de kern van de SiC-chip. Het productieproces van het substraat is: na het verkrijgen van de SiC-kristalstaaf door middel van monokristalgroei; vervolgens vereist het voorbereiden van het SiC-substraat gladmaken, rondmaken, snijden, slijpen (verdunnen); mechanisch polijsten;......
Lees verderSiliciumcarbide (SiC) is een materiaal dat een uitzonderlijke thermische, fysische en chemische stabiliteit bezit en eigenschappen vertoont die verder gaan dan die van conventionele materialen. De thermische geleidbaarheid bedraagt een verbazingwekkende 84W/(m·K), wat niet alleen hoger is dan die ......
Lees verderIn het snel evoluerende gebied van de halfgeleiderproductie kunnen zelfs de kleinste verbeteringen een groot verschil maken als het gaat om het bereiken van optimale prestaties, duurzaamheid en efficiëntie. Een vooruitgang die in de industrie veel ophef veroorzaakt, is het gebruik van TaC-coating (T......
Lees verderDe siliciumcarbide-industrie omvat een keten van processen, waaronder het maken van substraten, epitaxiale groei, apparaatontwerp, apparaatproductie, verpakking en testen. Over het algemeen wordt siliciumcarbide gemaakt als blokken, die vervolgens worden gesneden, geslepen en gepolijst om een sili......
Lees verderSiliciumcarbide (SiC) heeft belangrijke toepassingen op gebieden zoals vermogenselektronica, hoogfrequente RF-apparaten en sensoren voor omgevingen die bestand zijn tegen hoge temperaturen vanwege de uitstekende fysisch-chemische eigenschappen. De snijbewerking tijdens de verwerking van SiC-wafels b......
Lees verder