> Nieuws > Nieuws uit de sector

Nieuws uit de sector

Zuiveringstechnologie van grafiet in SiC-halfgeleider

Grafiet is van cruciaal belang bij de productie van halfgeleiders van siliciumcarbide (SiC), bekend om hun uitzonderlijke thermische en elektrische eigenschappen. Dit maakt SiC ideaal voor toepassingen met hoog vermogen, hoge temperaturen en hoge frequentie. Bij de productie van SiC-halfgeleiders wo......

Lees verder

Methode voor GaN-kristalgroei

Bij de productie van grote GaN-eenkristalsubstraten is HVPE momenteel de beste keuze voor commercialisering. De achterdragerconcentratie van het gegroeide GaN kan echter niet nauwkeurig worden gecontroleerd.

Lees verder

GaN-enkel kristal

Halfgeleidertechnologie is de ruggengraat van de moderne beschaving geweest en heeft de manier waarop we leven, werken en omgaan met de wereld fundamenteel veranderd. Het heeft ongekende vooruitgang mogelijk gemaakt op verschillende gebieden, waaronder informatietechnologie, energie, telecommunicati......

Lees verder

SiC-keramiek: het onmisbare materiaal voor uiterst nauwkeurige componenten in de halfgeleiderproductie

De halfgeleiderproductie, de hoeksteen van de moderne technologische vooruitgang, streeft voortdurend naar kleinere, snellere en efficiëntere geïntegreerde schakelingen. Dit meedogenloze streven leidt tot de behoefte aan steeds nauwkeurigere en geavanceerdere productieprocessen, waarbij elke stap st......

Lees verder

Wat is grafitiseringsgraad?

De mate van grafitisering is een essentiële maatstaf die wordt gebruikt om te beoordelen hoe dicht koolstofatomen zich bevinden bij het vormen van een dicht opeengepakte hexagonale grafietkristalstructuur.

Lees verder

Groeiproces van dunne film

Gemeenschappelijke dunne films worden hoofdzakelijk onderverdeeld in drie categorieën: dunne halfgeleiderfilms, diëlektrische dunne films en dunne films van metaal/metaalverbinding.

Lees verder

<...11 12 13 14 15...29 >