Galliumnitride (GaN) epitaxiale wafergroei is een complex proces, waarbij vaak gebruik wordt gemaakt van een tweestapsmethode. Deze methode omvat verschillende kritische fasen, waaronder bakken bij hoge temperatuur, groei van de bufferlaag, herkristallisatie en uitgloeien. Door de temperatuur gedure......
Lees verderZowel epitaxiale als diffuse wafers zijn essentiële materialen bij de productie van halfgeleiders, maar ze verschillen aanzienlijk in hun fabricageprocessen en doeltoepassingen. Dit artikel gaat dieper in op de belangrijkste verschillen tussen deze wafeltypes.
Lees verderSiliciumcarbidesubstraat is een samengesteld halfgeleider-monokristalmateriaal dat bestaat uit twee elementen, koolstof en silicium. Het heeft de kenmerken van een grote bandafstand, hoge thermische geleidbaarheid, hoge kritische doorslagveldsterkte en een hoge driftsnelheid van de elektronenverzadi......
Lees verderBinnen de siliciumcarbide (SiC)-industrieketen hebben substraatleveranciers een aanzienlijke invloed, voornamelijk vanwege de waardedistributie. SiC-substraten zijn goed voor 47% van de totale waarde, gevolgd door epitaxiale lagen met 23%, terwijl het ontwerp en de productie van apparaten de restere......
Lees verderSiC MOSFET's zijn transistors die een hoge vermogensdichtheid, verbeterde efficiëntie en lage uitvalpercentages bieden bij hoge temperaturen. Deze voordelen van SiC-MOSFET's brengen talrijke voordelen met zich mee voor elektrische voertuigen (EV's), waaronder een groter rijbereik, sneller opladen en......
Lees verder