De waferhouder van Semicorex voor het ICP-etsproces is de perfecte keuze voor veeleisende waferhantering en dunnefilmafzettingsprocessen. Ons product beschikt over superieure hitte- en corrosieweerstand, gelijkmatige thermische uniformiteit en optimale laminaire gasstroompatronen voor consistente en betrouwbare resultaten.
Kies de waferhouder van Semicorex voor het ICP-etsproces voor betrouwbare en consistente prestaties bij het hanteren van wafers en processen voor het afzetten van dunne films. Ons product biedt oxidatieweerstand bij hoge temperaturen, hoge zuiverheid en corrosieweerstand tegen zuur, alkali, zout en organische reagentia.
Onze wafelhouder voor het ICP-etsproces is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze waferhouder voor het ICP-etsproces.
Parameters van waferhouder voor ICP-etsproces
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young’ s Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van Waferhouder voor ICP-etsproces
- Voorkom loslaten en zorg voor een coating op alle oppervlakken
Oxidatieweerstand bij hoge temperaturen: Stabiel bij hoge temperaturen tot 1600°C
Hoge zuiverheid: gemaakt door CVD chemische dampafzetting onder chloreringsomstandigheden op hoge temperatuur.
Corrosiebestendigheid: hoge hardheid, dicht oppervlak en fijne deeltjes.
Corrosiebestendigheid: zuur, alkali, zout en organische reagentia.
- Bereik het beste laminaire gasstroompatroon
- Garandeer de gelijkmatigheid van het thermische profiel
- Voorkom elke besmetting of verspreiding van onzuiverheden