Vatontvanger Epi-systeem

Semicorex Barrel Susceptor Epi System is een hoogwaardig product dat superieure coatinghechting, hoge zuiverheid en oxidatieweerstand bij hoge temperaturen biedt. Het gelijkmatige thermische profiel, het laminaire gasstroompatroon en het voorkomen van verontreiniging maken het een ideale keuze voor de groei van epixiale lagen op waferchips. De kosteneffectiviteit en aanpasbaarheid maken het tot een zeer concurrerend product op de markt.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Ons Barrel Susceptor Epi-systeem is een zeer innovatief product dat uitstekende thermische prestaties, een gelijkmatig thermisch profiel en een superieure coatinghechting biedt. De hoge zuiverheid, oxidatieweerstand bij hoge temperaturen en corrosieweerstand maken het tot een zeer betrouwbaar product voor gebruik in de halfgeleiderindustrie. De preventie van verontreiniging en onzuiverheden en de lage onderhoudsvereisten maken het tot een zeer concurrerend product op de markt.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Ons Barrel Susceptor Epi-systeem heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over ons Barrel Susceptor Epi-systeem.

Parameters van Barrel Susceptor Epi-systeem

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van het Barrel Susceptor Epi-systeem

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.