Semicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite is een gespecialiseerd onderdeel dat is ontworpen voor gebruik in het epitaxieproces, met name bij het dragen van wafers. Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over hoe wij u kunnen helpen met uw halfgeleiderwafelverwerkingsbehoeften.
Semicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite is een gespecialiseerd onderdeel dat is ontworpen voor gebruik in het epitaxieproces, met name bij het dragen van wafers. Deze Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite is gemaakt van grafietmateriaal, dat bekend staat om zijn uitstekende thermische geleidbaarheid en stabiliteit bij hoge temperaturen. Om de prestaties en duurzaamheid te verbeteren, is het grafietoppervlak bedekt met een laag siliciumcarbide (SiC).
De siliciumcarbidecoating van Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite dient in deze context verschillende cruciale doeleinden. Ten eerste biedt het een extra beschermingslaag voor het onderliggende grafietsubstraat, waardoor het wordt beschermd tegen chemische reacties en slijtage die kunnen optreden tijdens het epitaxieproces. Ten tweede verbetert de SiC-coating de thermische eigenschappen van Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite, waardoor een efficiënte en uniforme verwarming van de wafels mogelijk wordt. Deze uniforme verwarming is essentieel voor het bereiken van consistente en hoogwaardige epitaxiale lagen op de halfgeleiderwafels.
Het ontwerp van de Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite is geoptimaliseerd om meerdere wafers veilig vast te houden en te transporteren tijdens het epitaxieproces. De tonvormige structuur maakt het gemakkelijk laden en lossen van wafers mogelijk en zorgt tegelijkertijd voor een goede warmteverdeling en thermische stabiliteit tijdens bedrijf.
Over het geheel genomen vertegenwoordigt de Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite een cruciaal onderdeel in epitaxieapparatuur en biedt betrouwbaarheid, duurzaamheid en nauwkeurige thermische controle die essentieel zijn voor de productie van geavanceerde halfgeleiderapparaten.