CVD epitaxiale afzetting in vatreactor

Semicorex CVD Epitaxiale Depositie In Barrel Reactor is een zeer duurzaam en betrouwbaar product voor het kweken van epixiale lagen op waferchips. De oxidatieweerstand bij hoge temperaturen en de hoge zuiverheid maken het geschikt voor gebruik in de halfgeleiderindustrie. Het gelijkmatige thermische profiel, het laminaire gasstroompatroon en het voorkomen van besmetting maken het een ideale keuze voor hoogwaardige groei van epixiale lagen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Onze CVD Epitaxiale Depositie in Barrel Reactor is een hoogwaardig product dat is ontworpen om betrouwbare prestaties te leveren in extreme omgevingen. De superieure coatinghechting, oxidatieweerstand bij hoge temperaturen en corrosiebestendigheid maken het een uitstekende keuze voor gebruik in zware omgevingen. Bovendien zorgen het gelijkmatige thermische profiel, het laminaire gasstroompatroon en het voorkomen van contaminatie voor de hoge kwaliteit van de epixiale laag.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze CVD epitaxiale afzetting in vatreactor heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Parameters van CVD epitaxiale afzetting in vatreactor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van CVD epitaxiale afzetting in vatreactor

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.