Susceptor met CVD SiC-coating

Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor is een zorgvuldig ontworpen component die op maat is gemaakt voor geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen, met name epitaxie. Deze CVD SiC-gecoate vatsusceptor is gebouwd met precisie en innovatie en is ontworpen om de epitaxiale groei van halfgeleidermaterialen op wafers met ongeëvenaarde efficiëntie en betrouwbaarheid te vergemakkelijken.

Bij de CVD SiC Coated Barrel Susceptor-kern ligt een robuuste grafietstructuur, bekend om zijn uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte. Deze grafietbasis dient als een stevige basis voor de susceptor en zorgt voor stabiliteit en een lange levensduur onder de veeleisende omstandigheden van epitaxiale reactoren.

Het grafietsubstraat wordt verbeterd door een geavanceerde coating van Chemical Vapour Deposition (CVD) siliciumcarbide (SiC). Deze gespecialiseerde SiC-coating wordt zorgvuldig aangebracht via een proces van chemische dampafzetting, wat resulteert in een uniforme en duurzame laag die het grafietoppervlak bedekt. De CVD SiC-coating van CVD SiC Coated Barrel Susceptor introduceert een groot aantal voordelen die cruciaal zijn voor epitaxiale processen.

De CVD SiC-coating van de CVD SiC-gecoate vatsusceptor vertoont uitzonderlijke thermische eigenschappen, waaronder een hoge thermische geleidbaarheid en thermische stabiliteit. Deze eigenschappen spelen een belangrijke rol bij het garanderen van een uniforme en nauwkeurige verwarming van halfgeleiderwafels tijdens epitaxiale groei, waardoor een consistente laagafzetting wordt bevorderd en defecten in het eindproduct worden geminimaliseerd.

Het tonvormige ontwerp van de CVD SiC Coated Barrel Susceptor is geoptimaliseerd voor efficiënt laden en lossen van wafers, evenals voor een optimale warmteverdeling over het waferoppervlak. Dit ontwerpkenmerk, gekoppeld aan de superieure prestaties van de CVD SiC-coating, garandeert een ongeëvenaarde procescontrole en rendement bij epitaxiale productiebewerkingen.