Duurzame SiC-gecoate vatsusceptor

Met zijn uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid is de Semicorex duurzame SiC-gecoate vatsusceptor de ideale keuze voor gebruik in epitaxiale processen en andere halfgeleiderproductietoepassingen. De zeer zuivere SiC-coating biedt superieure bescherming en warmteverdelingseigenschappen, waardoor dit de beste keuze is voor betrouwbare en consistente resultaten.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als u een hoogwaardige grafiet susceptor met superieure hitte- en corrosiebestendigheid nodig heeft, hoeft u niet verder te zoeken dan de Semicorex duurzame SiC-gecoate vatsusceptor. De siliciumcarbidecoating zorgt voor een uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdeling, waardoor betrouwbare en consistente prestaties worden gegarandeerd, zelfs in de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen.
Onze duurzame SiC-gecoate vatsusceptor is ontworpen om het beste laminaire gasstroompatroon te bereiken, waardoor een gelijkmatig thermisch profiel wordt gegarandeerd. Dit helpt eventuele verontreiniging of verspreiding van onzuiverheden te voorkomen, waardoor epitaxiale groei van hoge kwaliteit op de waferchip wordt gegarandeerd.
Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over onze duurzame susceptor met SiC-coating.

Parameters van duurzame SiC-gecoate vatsusceptor

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van duurzame SiC-gecoate vatsusceptor

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.