Vloeistoffase-epitaxie (LPE) reactorsysteem

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactorsysteem is een innovatief product dat uitstekende thermische prestaties, een gelijkmatig thermisch profiel en superieure coatinghechting biedt. De hoge zuiverheid, oxidatieweerstand bij hoge temperaturen en corrosieweerstand maken het een ideale keuze voor gebruik in de halfgeleiderindustrie. De aanpasbare opties en kosteneffectiviteit maken het tot een zeer concurrerend product op de markt.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Ons Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactorsysteem is een zeer betrouwbaar en duurzaam product dat een uitstekende prijs-kwaliteitverhouding biedt. De oxidatieweerstand bij hoge temperaturen, het gelijkmatige thermische profiel en het voorkomen van verontreiniging maken het ideaal voor hoogwaardige epitaxiale laaggroei. De lage onderhoudsvereisten en de aanpasbaarheid maken het tot een zeer concurrerend product op de markt.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Ons Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactorsysteem heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Neem vandaag nog contact met ons op voor meer informatie over ons Liquid Phase Epitaxy (LPE) reactorsysteem.

Parameters van vloeistoffase-epitaxie (LPE) reactorsysteem

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van het Liquid Phase Epitaxy (LPE) reactorsysteem

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.