Thuis > Producten > Siliciumcarbide gecoat > Vat ontvanger > Vat susceptor met SiC-coating in halfgeleider
Vat susceptor met SiC-coating in halfgeleider

Vat susceptor met SiC-coating in halfgeleider

Als u op zoek bent naar een hoogwaardige grafietsusceptor gecoat met zeer zuiver SiC, dan is de Semicorex Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider de perfecte keuze. De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen maken het ideaal voor gebruik in halfgeleiderproductietoepassingen.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De Semicorex Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider is een grafietproduct van topkwaliteit gecoat met zeer zuiver SiC, waardoor het de ideale keuze is voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie. De uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid zorgen voor een uitzonderlijke warmteverdeling en bescherming bij toepassingen voor de productie van halfgeleiders.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.


Parameters van vatsusceptor met SiC-coating in halfgeleider

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating

SiC-CVD-eigenschappen

Kristalstructuur

FCC β-fase

Dikte

g/cm³

3.21

Hardheid

Vickers-hardheid

2500

Korrelgrootte

urn

2~10

Chemische zuiverheid

%

99.99995

Warmtecapaciteit

J kg-1 K-1

640

Sublimatie temperatuur

2700

Flexurale kracht

MPa (RT 4-punts)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt bocht, 1300℃)

430

Thermische uitzetting (CTE)

10-6K-1

4.5

Thermische geleidbaarheid

(W/mK)

300


Kenmerken van de vatsusceptor met SiC-coating in halfgeleider

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.




Hottags: Vatsusceptor met SiC-coating in halfgeleider, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, aangepast, bulk, geavanceerd, duurzaam
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept