Als u op zoek bent naar een hoogwaardige grafietsusceptor gecoat met zeer zuiver SiC, dan is de Semicorex Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider de perfecte keuze. De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen maken het ideaal voor gebruik in halfgeleiderproductietoepassingen.
De Semicorex Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider is een grafietproduct van topkwaliteit gecoat met zeer zuiver SiC, waardoor het de ideale keuze is voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie. De uitstekende dichtheid en thermische geleidbaarheid zorgen voor een uitzonderlijke warmteverdeling en bescherming bij toepassingen voor de productie van halfgeleiders.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze Barrel Susceptor met SiC-coating in halfgeleider heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.
Parameters van vatsusceptor met SiC-coating in halfgeleider
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van de vatsusceptor met SiC-coating in halfgeleider
- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.
- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.
- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.
- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.