Susceptor met SiC-coating voor epitaxiale groei

Met zijn superieure dichtheid en thermische geleidbaarheid is de Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Epitaxial Growth de ideale keuze voor gebruik in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve omstandigheden. Dit grafietproduct is gecoat met zeer zuiver SiC en biedt uitstekende bescherming en warmteverdeling, waardoor betrouwbare en consistente prestaties in halfgeleiderproductietoepassingen worden gegarandeerd.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Epitaxial Growth is de perfecte keuze voor epixiale laagvorming op halfgeleiderwafels, dankzij de uitstekende thermische geleidbaarheid en warmteverdelingseigenschappen. De siliciumcarbidecoating biedt superieure bescherming, zelfs in de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve producten aan onze klanten. Onze SiC-gecoate vatsusceptor voor epitaxiale groei heeft een prijsvoordeel en wordt naar veel Europese en Amerikaanse markten geëxporteerd. Wij streven ernaar uw langetermijnpartner te zijn en producten van consistente kwaliteit en een uitzonderlijke klantenservice te leveren.

Parameters van SiC-gecoate vatsusceptor voor epitaxiale groei

Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating
SiC-CVD-eigenschappen
Kristalstructuur	FCC β-fase
Dikte	g/cm³	3.21
Hardheid	Vickers-hardheid	2500
Korrelgrootte	urn	2~10
Chemische zuiverheid	%	99.99995
Warmtecapaciteit	J kg-1 K-1	640
Sublimatie temperatuur	℃	2700
Flexurale kracht	MPa (RT 4-punts)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bocht, 1300℃)	430
Thermische uitzetting (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermische geleidbaarheid	(W/mK)	300

Kenmerken van de SiC-gecoate vatsusceptor voor epitaxiale groei

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.

- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.

- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.

- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.

- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.