Met zijn hoge smeltpunt, oxidatieweerstand en corrosieweerstand is de Semicorex SiC-gecoate vatsusceptor de perfecte keuze voor gebruik in monokristallijne groeitoepassingen. De siliciumcarbidecoating zorgt voor uitzonderlijke vlakheid en warmteverdelingseigenschappen, waardoor betrouwbare en consistente prestaties worden gegarandeerd, zelfs in de meest veeleisende omgevingen met hoge temperaturen.
De Semicorex SiC-gecoate vatsusceptor is een grafietproduct van topkwaliteit gecoat met zeer zuiver SiC, speciaal ontworpen voor LPE-processen en andere halfgeleiderproductietoepassingen. De uitzonderlijke dichtheid en thermische geleidbaarheid zorgen voor een superieure warmteverdeling en bescherming in omgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
Bij Semicorex richten we ons op het leveren van hoogwaardige, kosteneffectieve SiC-gecoate vatsusceptor, geven we prioriteit aan klanttevredenheid en bieden we kosteneffectieve oplossingen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner te worden, die hoogwaardige producten en een uitzonderlijke klantenservice levert.
Parameters van SiC-gecoate vatsusceptor
Belangrijkste specificaties van CVD-SIC-coating |
||
SiC-CVD-eigenschappen |
||
Kristalstructuur |
FCC β-fase |
|
Dikte |
g/cm³ |
3.21 |
Hardheid |
Vickers-hardheid |
2500 |
Korrelgrootte |
urn |
2~10 |
Chemische zuiverheid |
% |
99.99995 |
Warmtecapaciteit |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimatie temperatuur |
℃ |
2700 |
Flexurale kracht |
MPa (RT 4-punts) |
415 |
Young's Modulus |
Gpa (4pt bocht, 1300℃) |
430 |
Thermische uitzetting (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Thermische geleidbaarheid |
(W/mK) |
300 |
Kenmerken van de SiC-gecoate vatsusceptor
- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een goede dichtheid en kunnen een goede beschermende rol spelen in werkomgevingen met hoge temperaturen en corrosie.
- Met siliciumcarbide gecoate susceptor die wordt gebruikt voor de groei van eenkristal, heeft een zeer hoge vlakheid van het oppervlak.
- Verminder het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënt tussen het grafietsubstraat en de siliciumcarbidelaag, verbeter effectief de hechtsterkte om scheuren en delaminatie te voorkomen.
- Zowel het grafietsubstraat als de siliciumcarbidelaag hebben een hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende warmteverdelingseigenschappen.
- Hoog smeltpunt, oxidatieweerstand op hoge temperatuur, corrosieweerstand.